[發明專利]一種基于納米晶體的有機/無機雜化p型半導體薄膜材料在審
| 申請號： | 201810328542.X | 申請日： | 2018-04-13 |
| 公開（公告）號： | CN108428799A | 公開（公告）日： | 2018-08-21 |
| 發明（設計）人： | 丁毅;劉琳;田瀛;徐玉增;黃茜;侯國付;張曉丹;趙穎 | 申請（專利權）人： | 南開大學 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/50 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 300071*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機半導體材料 無機雜化 無機納米晶體 納米晶體 半導體材料 空穴 電導率 溶液法制備 電學特性 可折疊 波長 光子 通量 調制 光照 照射 引入 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于納米晶體的有機/無機雜化p型半導體薄膜材料,其特征在于：通過在有機半導體材料中引入無機納米晶體，在特定波長范圍光照下，可以增加有機半導體材料中的空穴濃度、大幅提高材料電導率，可以實現對有機/無機雜化半導體材料電學特性的調控。
2.根據權利1要求所述基于納米晶體的有機/無機雜化p型半導體薄膜材料,其特征在于：所述有機半導體材料可以為任何p型有機半導體材料。
3.根據權利1要求所述基于納米晶體的有機/無機雜化p型半導體薄膜材料,其特征在于：所述無機納米晶體可以為任何形狀且尺寸在2-100納米范圍內的無機納米晶體。
4.根據權利1要求所述基于納米晶體的有機/無機雜化p型半導體薄膜材料,其特征在于：所述有機半導體材料可以與所述無機納米晶體以任何質量比均勻混合。
5.所述特定波長范圍可以為任意波長范圍。
6.所述光照強度為任意光照強度。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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