[發(fā)明專(zhuān)利]一種用于高分子薄膜的高壓電極化系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810327626.1
• 申請(qǐng)日: 2018-04-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108470823B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫權(quán);張旭;覃雙;崔洪亮;劉興宇;徐興燁;邵志強(qiáng);張鵬
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十九研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L41/047
• 分類(lèi)號(hào): H01L41/047;H01L41/29
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 23109
• 代理人: 賈澤純

1.一種用于高分子薄膜的高壓電極化系統(tǒng)，其特征在于用于高分子薄膜的高壓電極化系統(tǒng)由高壓極化電源(1)、高壓電極(2)、極化電場(chǎng)組件、薄膜極化組件和加熱裝置(8)組成；所述極化電場(chǎng)組件由極化平板上電極(3)和極化平板下電極(7)組成；所述高壓極化電源(1)上外接有高壓電極(2)，所述薄膜極化組件由主極化硅片(4)和底板極化硅片(6)組成；所述高壓電極(2)位于極化平板上電極(3)的上方，所述極化平板上電極(3)的下方依次設(shè)置主極化硅片(4)、底板極化硅片(6)、極化平板下電極(7)和加熱裝置(8)，所述主極化硅片(4)和底板極化硅片(6)之間設(shè)置待極化樣品(5)；所述極化平板上電極(3)、主極化硅片(4)、待極化樣品(5)、底板極化硅片(6)、極化平板下電極(7)和加熱裝置(8)的幾何中心位于高壓電極(2)的中軸上；所述主極化硅片(4)和底板極化硅片(6)的材質(zhì)均為工業(yè)級(jí)拋光的重?fù)诫s硅片；所述底板極化硅片(6)采用未刻蝕加工完整的硅片；

所述用于高分子薄膜的高壓電極化系統(tǒng)的具體實(shí)施方法如下：按照待極化樣品(5)確定的極化大小和極化區(qū)域?qū)O化區(qū)域外的主極化硅片(4)進(jìn)行刻蝕；對(duì)主極化硅片(4)刻蝕過(guò)程中，首先用純凈水清洗硅片表面，然后將待刻蝕表涂抹光刻膠，進(jìn)行前烘、曝光、后烘、顯影處理，然后進(jìn)行刻蝕；

按照主極化硅片(4)的外圍尺寸對(duì)底板極化硅片(6)進(jìn)行劃片，保證薄膜極化組件形成的高壓電場(chǎng)能夠足夠覆蓋需要極化區(qū)域；

極化過(guò)程前，需將主極化硅片(4)、底板極化硅片(6)、待極化樣品(5)，分別用酒精和去離子水進(jìn)行超聲清洗后，將待極化樣品(5)夾在主極化硅片(4)、底板極化硅片(6)中間，同時(shí)需確認(rèn)主極化硅片(4)、底板極化硅片(6)無(wú)直接接觸；

極化過(guò)程中首先將極化設(shè)備抽真空，控制加熱裝置(8)待極化樣品(5)加熱到需要極化的溫度，當(dāng)真空達(dá)到極化要求時(shí)，通高壓進(jìn)行極化； 極化后待樣品冷卻取出樣品；

當(dāng)高分子薄膜為PVDF時(shí)，待極化樣品(5)厚度為30μm；極化電壓1500V；極化溫度：90℃；極化時(shí)間30分鐘；極化真空度2.5×10^-4Pa。