[發明專利]一種塑性提升的納米晶薄膜制備方法有效
| 申請號： | 201810326643.3 | 申請日： | 2018-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN108468032B | 公開（公告）日： | 2020-08-18 |
| 發明（設計）人： | 黃平;朱婧;王飛;徐可為 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 田洲 |
| 地址： | 710049 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 塑性 提升 納米 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種塑性提升的納米晶薄膜制備方法，其特征在于，包括：采用磁控濺射法，在納米晶中引入非晶層，形成納米晶亞層/非晶亞層交替的多層結構，獲得塑性提升的納米晶薄膜；
納米晶亞層的材質為Cu，非晶亞層的材質為CuZr；
每層納米晶亞層的厚度為40nm，每層非晶亞層的厚度為10nm；
納米晶亞層/非晶亞層交替的多層結構中最底層為非晶亞層；
具體包括以下步驟：
1)將單面拋光單晶硅清洗干凈后放入超高真空磁控濺射設備基片臺上，準備鍍膜；
2)將需要濺射的納米晶亞層靶材和非晶亞層靶材安置在靶材座上；
3)硅片濺射沉積時，納米晶亞層選擇直流電源濺射，非晶亞層采用射頻電源濺射；先在硅基體上用射頻電源鍍一層非晶亞層，之后在上面用直流電源鍍一層納米晶亞層，這樣交替沉積納米晶亞層/非晶亞層，最終達到所需的厚度；
所制備的納米晶薄膜硬度為3.875GPa，在拉伸10％的應變量下無裂紋產生。
2.根據權利要求1所述的一種塑性提升的納米晶薄膜制備方法，其特征在于，步驟1)中，單面拋光的單晶硅用酒精和丙酮超聲清洗分別15～30分鐘，然后用電吹風吹干。
3.根據權利要求1所述的一種塑性提升的納米晶薄膜制備方法，其特征在于，步驟2)中，非晶亞層濺射過程中，選擇射頻電源功率為150W，沉積速率為每分鐘10nm；納米晶亞層選擇直流電源功率為100W，沉積速率為每分鐘10nm。
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