[發明專利]多晶氮化鎵自立基板和使用該多晶氮化鎵自立基板的發光元件

有效

• 申請號: 201810324504.7
• 申請日: 2015-03-23
• 公開（公告）號: CN108305923B
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 渡邊守道;吉川潤;倉岡義孝;七瀧努
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H01L33/16
• 分類號: H01L33/16;H01L33/32;C30B29/40
• 代理公司: 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙) 11432
• 代理人: 王軼;鄭雪娜

1.一種多晶氮化鎵自立基板，由在所述基板的大致法線方向沿特定結晶方位取向的多個氮化鎵系單晶粒子構成，其中，基板表面的利用電子背散射衍射法亦即EBSD的反極圖成像測定的各氮化鎵系單晶粒子的結晶方位按照相對于特定結晶方位以各種角度傾斜的方式分布，其平均傾斜角為1～10°，規定為所述多晶氮化鎵自立基板的厚度T與在所述多晶氮化鎵自立基板的表面露出的所述氮化鎵系單晶粒子在最外表面的截面平均直徑D_T之比的縱橫尺寸比T/D_T為0.7以上，所述特定結晶方位為氮化鎵能夠具有的任意結晶方位。

2.根據權利要求1所述的多晶氮化鎵自立基板，其特征在于：利用所述電子背散射衍射法亦即EBSD的反極圖成像測定的氮化鎵系單晶粒子中的80％以上具有1～10°范圍內的傾斜角。

3.根據權利要求1所述的多晶氮化鎵自立基板，其特征在于：所述氮化鎵系單晶粒子的傾斜角按照高斯分布來分布。

4.根據權利要求1～3中的任一項所述的多晶氮化鎵自立基板，其特征在于：具有1×10⁴個/cm²以下的缺陷密度。

5.根據權利要求1～3中的任一項所述的多晶氮化鎵自立基板，其特征在于：具有1×10²個/cm²以下的缺陷密度。

6.根據權利要求1～3中的任一項所述的多晶氮化鎵自立基板，其特征在于：所述多晶氮化鎵自立基板在其大致法線方向具有單晶結構。

7.根據權利要求1～3中的任一項所述的多晶氮化鎵自立基板，其特征在于：在所述多晶氮化鎵自立基板的表面露出的所述氮化鎵系單晶粒子不夾隔晶界而連通至該多晶氮化鎵自立基板的背面。

8.根據權利要求1～3中的任一項所述的多晶氮化鎵自立基板，其特征在于：在所述多晶氮化鎵自立基板的表面露出的氮化鎵系單晶粒子在最外表面的截面平均直徑D_T與在所述多晶氮化鎵自立基板的背面露出的氮化鎵系單晶粒子在最外表面的截面平均直徑D_B不同。

9.根據權利要求1～3中的任一項所述的多晶氮化鎵自立基板，其特征在于：在所述多晶氮化鎵自立基板的表面露出的氮化鎵系單晶粒子在最外表面的截面平均直徑D_T與在所述多晶氮化鎵自立基板的背面露出的氮化鎵系單晶粒子在最外表面的截面平均直徑D_B之比D_T/D_B大于1.0。

10.根據權利要求1～3中的任一項所述的多晶氮化鎵自立基板，其特征在于：所述氮化鎵系單晶粒子在所述基板的最外表面的截面平均直徑在10μm以上。

11.根據權利要求1～3中的任一項所述的多晶氮化鎵自立基板，其特征在于：所述多晶氮化鎵自立基板具有20μm以上的厚度。

12.根據權利要求1～3中的任一項所述的多晶氮化鎵自立基板，其特征在于：所述多晶氮化鎵自立基板的尺寸為直徑50.8mm以上。

13.根據權利要求1～3中的任一項所述的多晶氮化鎵自立基板，其特征在于：所述氮化鎵系單晶粒子摻雜了n型摻雜物或者p型摻雜物。

14.根據權利要求1～3中的任一項所述的多晶氮化鎵自立基板，其特征在于：所述氮化鎵系單晶粒子不含摻雜物。

15.根據權利要求1～3中的任一項所述的多晶氮化鎵自立基板，其特征在于：所述氮化鎵系單晶粒子是混晶化的粒子。