[發明專利]半導體裝置封裝

有效

• 申請號: 201810324486.2
• 申請日: 2018-04-11
• 公開（公告）號: CN109841588B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 施佑霖;李志成
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導體襯底，其包括：

介電層，其具有第一表面；

第一圖案化導電層，其具有第一表面并且安置為鄰近于所述介電層的所述第一表面，其中所述第一圖案化導電層另外具有與所述第一圖案化導電層的所述第一表面相對的第二表面，且凹部凹入于所述第一圖案化導電層的所述第二表面中，且所述介電層的一部分安置于所述凹部中；

第一連接元件，其安置于所述第一圖案化導電層的所述第一表面上，所述第一連接元件包括第一部分、第二部分以及安置于所述第一部分和所述第二部分之間的晶種層；以及

第二連接元件，其安置于所述第一圖案化導電層的所述第一表面上，所述第二連接元件包括第一部分、第二部分以及安置于所述第一部分和所述第二部分之間的晶種層，

其中所述第一連接元件具有頂部表面，且所述第二連接元件具有頂部表面，且其中所述第一連接元件的所述第二部分和所述第二連接元件的所述第二部分從所述介電層的所述第一表面突起，且所述第一連接元件的所述頂部表面與所述第二連接元件的所述頂部表面大體上共平面，

其中所述第一連接元件的所述第一部分和所述第一圖案化導電層形成為整體結構。

2.根據權利要求1所述的半導體襯底，其中所述第一連接元件的所述第一部分具有第一頂部表面，且所述第二連接元件的所述第一部分具有第一頂部表面，且其中所述第一連接元件的所述第一部分和所述第二連接元件的所述第一部分從所述介電層的所述第一表面突起，且所述第一連接元件的所述第一部分的所述第一頂部表面不與所述第二連接元件的所述第一部分的所述第一頂部表面共平面。

3.根據權利要求2所述的半導體襯底，其中所述第一連接元件的所述第二部分的高度不同于所述第二連接元件的所述第二部分的高度。

4.根據權利要求3所述的半導體襯底，其中所述第一連接元件的所述第一部分包括突起部，其中所述突起部的寬度與所述第一連接元件的所述第二部分的寬度基本上相同，且其中所述第一連接元件的所述第一部分的所述突起部的高度小于所述第一連接元件的所述第一部分的所述突起部的所述寬度。

5.根據權利要求2所述的半導體襯底，其另外包括安置于所述第一圖案化導電層的所述第一表面上的保護層，其中所述保護層包括對應于所述第一連接元件的開口，且所述保護層的所述開口的側壁圍繞的所述第一連接元件的一部分。

6.根據權利要求5所述的半導體襯底，其中所述第一連接元件另外包括安置于所述保護層的所述開口所述側壁和所述第一連接元件的所述第一部分之間的晶種層。

7.根據權利要求6所述的半導體襯底，其中所述第一連接元件的所述第一部分具有第二頂部表面，其中所述第一連接元件的所述第一部分的所述第二頂部表面低于所述第一連接元件的所述第一部分的所述第一頂部表面并且不與所述保護層的頂部表面共平面。

8.根據權利要求7所述的半導體襯底，其中所述保護層的所述頂部表面低于所述第一連接元件的所述第一部分的所述第二頂部表面。

9.根據權利要求7所述的半導體襯底，其中所述介電層另外具有高于所述介電層的所述第一表面的第二表面，其中所述第一連接元件的所述第一部分的所述第二頂部表面低于所述介電層的所述第二表面。

10.根據權利要求6所述的半導體襯底，其中所述第一連接元件的所述第一部分的所述第一頂部表面低于所述保護層的頂部表面。

11.根據權利要求1所述的半導體襯底，其中所述第一連接元件和所述第二連接元件之間的間距的長度在從150μm到200μm的范圍內。

12.根據權利要求1所述的半導體襯底，其中所述第一連接元件的高度大于100μm。