[發明專利]一種低電壓低輸出阻抗跨阻放大器有效
| 申請號： | 201810324422.2 | 申請日： | 2018-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN108667434B | 公開（公告）日： | 2021-08-17 |
| 發明（設計）人： | 陳超 | 申請（專利權）人： | 東南大學;東南大學—無錫集成電路技術研究所 |
| 主分類號： | H03F1/56 | 分類號： | H03F1/56;H03F1/30;H03F1/02 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 葛瀟敏 |
| 地址： | 214135 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 壓低 輸出 阻抗 放大器 | ||
1.一種低電壓低輸出阻抗跨阻放大器，其特征在于：包括第一至第十MOS管以及第一、第二電阻，其中，第一MOS管的柵極接第一偏置電壓，第一MOS管的源極接電源，第一MOS管的漏極接第三MOS管的源極；第三MOS管的源極為輸入電流正極，第三MOS管的柵極接地，第三MOS管的漏極接第七MOS管的漏極；第七MOS管的柵極接第二偏置電壓，第七MOS管的源極接地；第二MOS管的源極接電源，第二MOS管的柵極接第三MOS管的漏極，第二MOS管的漏極接第八MOS管的漏極，第二MOS管的漏極為電壓輸出負極；第八MOS管的柵極接第二偏置電壓，第八MOS管的源極接地；第一電阻的正極接第三MOS管的源極，第一電阻的負極接電壓輸出負極；第五MOS管的柵極接第一偏置電壓，第五MOS管的源極接電源，第五MOS管的漏極接第六MOS管的源極；第六MOS管的源極為輸入電流負極，第六MOS管的柵極接地，第六MOS管的漏極接第十MOS管的漏極；第十MOS管的柵極接第二偏置電壓，第十MOS管的源極接地；第四MOS管的源極接電源，第四MOS管的柵極接第六MOS管的漏極，第四MOS管的漏極接第九MOS管的漏極，第四MOS管的漏極為電壓輸出正極；第九MOS管的柵極接第二偏置電壓，第九MOS管的源極接地；第二電阻的正極接第六MOS管的源極，第二電阻的負極接電壓輸出正極。
2.如權利要求1所述的一種低電壓低輸出阻抗跨阻放大器，其特征在于：所述第一至第六MOS管采用PMOS管。
3.如權利要求1所述的一種低電壓低輸出阻抗跨阻放大器，其特征在于：所述第七至第十MOS管采用NMOS管。
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