[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體激光器熱沉的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810324378.5
• 申請日: 2018-04-12
• 公開（公告）號: CN108565672A
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李旭光
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫奧夫特光學(xué)技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024
• 代理公司: 總裝工程兵科研一所專利服務(wù)中心 32002
• 代理人: 楊立秋

1.一種半導(dǎo)體激光器熱沉的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、清洗烘干氮化鋁或氧化鈹陶瓷基片，并進(jìn)行第一次光刻處理；

步驟2、將步驟1所得的產(chǎn)品制備金屬層；

步驟3、將步驟2所得的產(chǎn)品進(jìn)行去光刻膠處理；

步驟4、進(jìn)行第二次光刻處理；

步驟5、將步驟4所得的產(chǎn)品鍍制金錫合金層；

步驟6、再次進(jìn)行去光刻膠處理；

步驟7、將完成去光刻膠處理的產(chǎn)品進(jìn)行切割分離，得到半導(dǎo)體激光器的熱沉。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器熱沉的制備方法，其特征在于，所述第一次光刻處理和所述第二次光刻處理均包括噴涂光刻膠、前烘、曝光、顯影、清洗和后烘。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光器熱沉的制備方法，其特征在于，所述第一次光刻處理得到的光刻膠的厚度為1～30μm；所述第二次光刻處理得到的光刻膠的厚度為1～35μm。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器熱沉的制備方法，其特征在于，所述金屬層能夠通過PVD、電鍍或化學(xué)鍍獲得。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體激光器熱沉的制備方法，其特征在于，所述金屬層包括Cu、Ni、Pd、Au、Ti、TiW中的一種或者多種。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器熱沉的制備方法，其特征在于，第二次光刻處理得到的光刻膠為正性光刻膠或負(fù)性光刻膠，前烘溫度為70～150℃，時(shí)間為1～20min；曝光劑量為10~1000mj，顯影的時(shí)間為5～300s；后烘溫度為70～150℃，時(shí)間為1~20min。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器熱沉的制備方法，其特征在于，所述金錫合金層中金與錫的質(zhì)量比為1：9至9：1，所述金錫合金層的厚度為1～30μm。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器熱沉的制備方法，其特征在于，所述步驟7中通過切割設(shè)備進(jìn)行切割分離時(shí)，設(shè)置工件移動(dòng)，切割設(shè)備的砂輪軸旋轉(zhuǎn)但位置保持固定。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體激光器熱沉的制備方法，其特征在于，所述切割設(shè)備選用軟刀進(jìn)行切割。