[發(fā)明專(zhuān)利]器件芯片的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810324299.4
• 申請(qǐng)日: 2018-04-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108735667A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田渕智隆
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/78;H01L21/3065
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;喬婉

1.一種器件芯片的制造方法，對(duì)在由設(shè)定成格子狀的分割預(yù)定線(xiàn)劃分的正面?zhèn)鹊母鲄^(qū)域內(nèi)具有器件并在該正面?zhèn)刃纬捎懈采w該器件的鈍化膜的晶片進(jìn)行加工而制造出與該器件對(duì)應(yīng)的多個(gè)器件芯片，該器件芯片的制造方法的特征在于，具有如下的步驟：

鈍化膜去除步驟，沿著該分割預(yù)定線(xiàn)將該鈍化膜去除；

晶片支承步驟，在晶片的背面上粘貼粘片膜，并且使安裝于環(huán)狀的框架的劃片帶隔著該粘片膜對(duì)該晶片進(jìn)行支承；

晶片分割步驟，在實(shí)施了該鈍化膜去除步驟和該晶片支承步驟之后，將該鈍化膜作為掩模而從該晶片的該正面?zhèn)葘?shí)施使用氟系氣體的等離子蝕刻，將該晶片沿著該分割預(yù)定線(xiàn)分割成各個(gè)器件芯片，并且使該粘片膜沿著該分割預(yù)定線(xiàn)露出；以及

粘片膜去除步驟，在實(shí)施了該晶片分割步驟之后，將該鈍化膜作為掩模而從該晶片的該正面?zhèn)葘?shí)施使用氧系氣體的等離子蝕刻，去除該粘片膜的沿著該分割預(yù)定線(xiàn)的一部分或全部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件芯片的制造方法，其特征在于，

在該鈍化膜去除步驟中，沿著該分割預(yù)定線(xiàn)照射對(duì)于該晶片具有吸收性的波長(zhǎng)的激光束，在該晶片的該正面?zhèn)刃纬刹郏瑥亩刂摲指铑A(yù)定線(xiàn)將該鈍化膜去除。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件芯片的制造方法，其特征在于，

在該鈍化膜去除步驟中，使切削刀具沿著該分割預(yù)定線(xiàn)切入，在該晶片的該正面?zhèn)刃纬刹郏瑥亩刂摲指铑A(yù)定線(xiàn)將該鈍化膜去除。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的器件芯片的制造方法，其特征在于，

該劃片帶具有伸展性，

該器件芯片的制造方法還具有如下的粘片膜斷裂步驟：在實(shí)施了該粘片膜去除步驟之后，通過(guò)對(duì)該劃片帶進(jìn)行伸展，從而使該粘片膜沿著該分割預(yù)定線(xiàn)斷裂。