[發明專利]一種光刻膠圖形的制備方法在審
| 申請號： | 201810324138.5 | 申請日： | 2018-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN110376845A | 公開（公告）日： | 2019-10-25 |
| 發明（設計）人： | 樂艮;賈海強;陳弘 | 申請（專利權）人： | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;李科 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻膠圖形 光刻膠層 制備 掩膜圖形 掩膜層 納米級圖形結構 雙光束激光干涉 沉積掩膜層 激光干涉 曝光裝置 駐波效應 側壁 基底 掩膜 曝光 | ||
1.一種光刻膠圖形的制備方法，其特征在于，包括下列步驟：
步驟1)在基底上形成第一光刻膠層；
步驟2)在所述第一光刻膠層上沉積掩膜層；
步驟3)在所述掩膜層上形成第二光刻膠層；
步驟4)利用雙光束激光干涉曝光在所述第二光刻膠層上形成第二光刻膠圖形；
步驟5)將所述第二光刻膠圖形轉移到所述掩膜層上以形成掩膜圖形；
步驟6)以所述掩膜圖形為掩膜，在所述第一光刻膠層上形成第一光刻膠圖形。
2.根據權利要求1所述的光刻膠圖形的制備方法，其特征在于，所述第一光刻膠層的厚度為200納米～2微米。
3.根據權利要求2所述的光刻膠圖形的制備方法，其特征在于，所述第一光刻膠層的厚度為400納米～500納米。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的光刻膠圖形的制備方法，其特征在于，所述第二光刻膠層的厚度為50納米～150納米。
5.根據權利要求4所述的光刻膠圖形的制備方法，其特征在于，所述第二光刻膠層的厚度為80納米～100納米。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的光刻膠圖形的制備方法，其特征在于，所述掩膜層的材料為金、銅、鋁和鎳中的任一種。
7.根據權利要求6所述的光刻膠圖形的制備方法，其特征在于，所述掩膜層的厚度為20納米～50納米。
8.根據權利要求6所述的光刻膠圖形的制備方法，其特征在于，在所述步驟5)中，利用干法刻蝕工藝同時刻蝕所述第二光刻膠圖形和掩膜層。
9.根據權利要求8所述的光刻膠圖形的制備方法，其特征在于，刻蝕氣體為氬氣和氧氣，刻蝕時間為2～5分鐘。
10.根據權利要求6所述的光刻膠圖形的制備方法，其特征在于，在所述步驟6)中，利用干法刻蝕工藝同時刻蝕所述掩膜圖形和第一光刻膠層。
11.根據權利要求10所述的光刻膠圖形的制備方法，其特征在于，刻蝕氣體為氬氣和氧氣，刻蝕時間為2～5分鐘。
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