[發(fā)明專利]鈣鈦礦阻變存儲器過沖電流的抑制方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810322699.1 | 申請日: | 2018-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN110364624A | 公開(公告)日: | 2019-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐海陽;王中強(qiáng);孫紹武;趙曉寧;馬劍鋼;劉益春 | 申請(專利權(quán))人: | 東北師范大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/40 | 分類號: | H01L51/40 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236 | 代理人: | 莊文莉 |
| 地址: | 130024 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 阻變存儲器 光源 鈣鈦礦 源表 施加 大規(guī)模集成 操作電壓 電學(xué)參數(shù) 關(guān)閉過程 開啟過程 連接測試 設(shè)備成本 提升器件 應(yīng)用技術(shù) 有效減少 電激活 過充電 兼容性 均一性 功耗 電路 壁壘 | ||
1.一種鈣鈦礦阻變存儲器過沖電流的抑制方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1、連接測試電路,并在阻變存儲器處設(shè)置光源;
S2、開啟光源,使用源表施加偏壓,完成阻變存儲器的電激活、開啟過程;
S3、關(guān)閉光源,使用源表施加偏壓,完成阻變存儲器關(guān)閉過程。
2.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦阻變存儲器過沖電流的抑制方法,其特征在于,所述光源的波長為300~800nm,強(qiáng)度為100~300mW/cm2。
3.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦阻變存儲器過沖電流的抑制方法,其特征在于,所述鈣鈦礦阻變存儲器包括底端電極、阻變介質(zhì)層和頂端電極,所述頂端電極的材料為惰性金屬材料,所述阻變介質(zhì)層的材料為有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦材料,所述底端電極的材料具有透明導(dǎo)電特性。
4.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦阻變存儲器過沖電流的抑制方法,其特征在于,所述光源由底端電極的一側(cè)對阻變存儲器進(jìn)行照射。
5.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦阻變存儲器過沖電流的抑制方法,其特征在于,步驟S2中所述的開啟光源在阻變存儲器的電激活過程和/或開啟過程,偏壓方向規(guī)定由頂端電極至底端電極的方向?yàn)檎颉?/p>
6.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦阻變存儲器過沖電流的抑制方法,其特征在于,所述測試電路由源表、待測阻變存儲器、限流晶體管串聯(lián)而成。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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