[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工藝設(shè)備及半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810322628.1
• 申請(qǐng)日: 2018-04-11
• 公開（公告）號(hào): CN110364450B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊維軍;馬彪;黃凌燕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，包括：

反應(yīng)腔；

晶圓承載基座，設(shè)置在所述反應(yīng)腔中，用于承載晶圓；

加熱燈組，設(shè)置在所述反應(yīng)腔中，并位于所述晶圓承載基座的上方；

可調(diào)燈座，設(shè)置在所述反應(yīng)腔外或者所述反應(yīng)腔中，用于將所述加熱燈組裝配到所述反應(yīng)腔中，并調(diào)節(jié)所述加熱燈組射出的光相對(duì)所述晶圓表面的入射角度；所述可調(diào)燈座包括控制器、電動(dòng)機(jī)、傳動(dòng)絲桿以及俯仰調(diào)節(jié)組件；所述控制器用于控制電動(dòng)機(jī)工作；所述俯仰調(diào)節(jié)組件與所述加熱燈組裝配在一起；所述傳動(dòng)絲桿的一側(cè)連接到所述電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)軸上，另一側(cè)活動(dòng)連接所述俯仰調(diào)節(jié)組件，用于在所述電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)下帶動(dòng)所述俯仰調(diào)節(jié)組件運(yùn)動(dòng)；所述俯仰調(diào)節(jié)組件用于在所述傳動(dòng)絲桿的帶動(dòng)下帶動(dòng)所述加熱燈組運(yùn)動(dòng)，改變加熱燈組的出光面和所述晶圓表面之間的夾角，以調(diào)節(jié)所述加熱燈組射出的光相對(duì)所述晶圓表面的入射角度；

加熱罩組，設(shè)置在所述加熱燈組與所述晶圓承載基座之間的反應(yīng)腔空間中，用于將所述加熱燈組射出的燈光反射并聚焦于晶圓表面上，且所述加熱燈組直射到晶圓表面上的光線和經(jīng)由所述加熱罩組反射的光線的交叉點(diǎn)落在晶圓表面上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述俯仰調(diào)節(jié)組件包括連接組件以及支撐組件，所述連接組件一側(cè)與所述加熱燈組固定連接，另一側(cè)與所述傳動(dòng)絲桿螺紋連接，所述支撐組件的一側(cè)與所述反應(yīng)腔固定連接，另一側(cè)與所述連接組件轉(zhuǎn)動(dòng)連接。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述支撐組件與所述連接組件轉(zhuǎn)動(dòng)連接的一端為球頂，所述連接組件中設(shè)有與所述球頂曲面接觸的弧形凹坑；或者，所述支撐組件與所述連接組件轉(zhuǎn)動(dòng)連接的一端為弧形凹坑，所述連接組件中設(shè)有與所述弧形凹坑曲面接觸的球頂；或者，所述支撐組件與所述連接組件轉(zhuǎn)動(dòng)連接的一端設(shè)有軸栓孔，所述連接組件中設(shè)有插在所述軸栓孔中的軸栓；或者，所述支撐組件與所述連接組件轉(zhuǎn)動(dòng)連接的一端設(shè)有軸栓，所述連接組件中設(shè)有插入所述軸栓的軸栓孔；或者，所述連接組件中設(shè)有轉(zhuǎn)軸，所述支撐組件中設(shè)有夾持所述轉(zhuǎn)軸并使得所述轉(zhuǎn)軸能夠轉(zhuǎn)動(dòng)的夾持塊。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備還包括一用于設(shè)置所述反應(yīng)腔的工藝參數(shù)的控制主機(jī)，所述控制器連接到所述反應(yīng)腔的控制主機(jī)上或者直接集成到所述控制主機(jī)中，所述控制器用于根據(jù)所述控制主機(jī)的設(shè)置參數(shù)產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)所述電動(dòng)機(jī)工作的信號(hào)。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述電動(dòng)機(jī)為步進(jìn)電機(jī)或者伺服電機(jī)。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述加熱罩包括相對(duì)設(shè)置的內(nèi)加熱罩和外加熱罩，所述內(nèi)加熱罩設(shè)置在靠近所述反應(yīng)腔中心的一側(cè)，所述外加熱罩設(shè)置在靠近所述反應(yīng)腔的側(cè)壁的一側(cè)。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述加熱燈組包括內(nèi)燈以及設(shè)置在所述內(nèi)燈的外圍的外燈。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備還包括設(shè)置于所述反應(yīng)腔中且位于所述反應(yīng)腔頂部的反射盤。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述反射盤呈環(huán)形，所述加熱燈組的數(shù)量為若干個(gè)，各個(gè)加熱燈組通過(guò)相應(yīng)的可調(diào)燈座沿所述反射盤依次安裝到所述反應(yīng)腔上或者直接安裝在所述反射盤上，若干個(gè)所述加熱燈組沿所述反射盤的環(huán)形均勻分布并面向所述晶圓表面。

10.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：采用權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，在一襯底晶圓的表面上形成一膜層。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述膜層包括多晶硅、鍺硅和碳硅中的至少一種。

12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在形成所述膜層的過(guò)程中，實(shí)時(shí)調(diào)整所述可調(diào)燈座，以調(diào)節(jié)所述加熱燈組射出的光相對(duì)所述襯底晶圓表面的入射角度，使得所述加熱罩組能夠?qū)⑺黾訜釤艚M射出的光反射并聚焦于所述襯底晶圓表面上的相應(yīng)位置，且所述加熱燈組直射到晶圓表面上的光線和經(jīng)由所述加熱罩組反射的光線的交叉點(diǎn)落在晶圓表面上。