[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、電子設(shè)備及半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810320586.8
• 申請(qǐng)日: 2018-04-11
• 公開（公告）號(hào): CN108878538A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 工藤學(xué)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京金信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225
• 代理人: 蘇萌萌;權(quán)太白

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

基板；

薄膜晶體管；以及

絕緣膜，其位于所述基板與所述薄膜晶體管之間，

所述絕緣膜具有第一氧化硅膜、被形成在所述第一氧化硅膜上的氮化硅膜以及被形成在所述氮化硅膜上的第二氧化硅膜，

所述第一氧化硅膜的氮濃度與所述第二氧化硅膜的氮濃度相比而較低。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第一氧化硅膜的氮濃度在3E²⁰atoms/CC以上且9E²⁰atoms/CC以下。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述薄膜晶體管的柵電極含有鉬。

4.一種電子設(shè)備，其特征在于，

具備權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。

5.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備：

使用硅烷氣體和氮氧化物氣體而使第一氧化硅膜成膜的工序；

使氮化硅膜成膜的工序；以及

使用硅烷氣體和氮氧化物氣體而使第二氧化硅膜成膜的工序，

使所述第一氧化硅膜成膜的工序與使所述第二氧化硅膜成膜的工序相比，硅烷氣體相對(duì)于氮氧化物氣體的濃度較低。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

具備使構(gòu)成薄膜晶體管的硅膜成膜的工序，

所述第一氧化硅膜、所述氮化硅膜、所述第二氧化硅膜及所述硅膜在同一腔室內(nèi)連續(xù)地成膜。