[發明專利]一種電纜半導電斷口處理方法

在審

• 申請號: 201810320146.2
• 申請日: 2018-04-11
• 公開（公告）號: CN108539672A
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發明（設計）人: 繆煒庭;張寶磊;梁棟
• 申請（專利權）人: 江蘇中天科技電纜附件有限公司
• 主分類號: H02G1/14
• 分類號: H02G1/14
• 代理公司: 南京鐘山專利代理有限公司 32252
• 代理人: 戴朝榮

本發明公開了一種電纜半導電斷口處理方法，首先對半導電屏蔽層進行初步刮除；然后在絕緣層和半導電屏蔽層均勻的纏上1?2層半導電帶，再使用加熱帶對半導電帶進行加熱硫化。本發明對半導電屏蔽層進行初步刮除后無需打磨，使用加熱帶對這種半導電帶進行加熱硫化。硫化后的半導電帶比較穩定，可以保證半導電屏蔽處與絕緣交界面過渡處的光滑平整。

技術領域

本發明涉及電纜技術領域，具體涉及一種電纜半導電斷口處理方法。

背景技術

在處理半導電斷口時，主要靠玻璃片剝除半導電屏蔽層。必須保證半導電屏蔽層前端一定尺寸內均勻過渡為錐面。玻璃片刮除之后再用砂紙進行打磨，必須保證半導電屏蔽處與絕緣交界面過渡處的光滑平整。絕緣層與半導電交界面處難以保證絕對的光滑過渡，需要施工人員有較高的處理手法。且用玻璃片處理之后需要反復打磨，耗時較長。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種電纜半導電斷口處理方法，保證半導電屏蔽處與絕緣交界面過渡處的光滑平整。

為解決上述技術問題，本發明采取如下技術方案：一種電纜半導電斷口處理方法，首先對半導電屏蔽層進行初步刮除；然后在絕緣層和半導電屏蔽層均勻的纏上1-2層半導電帶，再使用加熱帶對半導電帶進行加熱硫化。

進一步地，采用刮除裝置對半導電屏蔽層進行刮除；所述的刮除裝置包括刮除刀片、角度調節支架、旋轉塊、軸承、過渡塊和底座；所述刮除刀片安裝于角度調節支架上；所述的角度調節支架安裝于所述的旋轉塊內側；所述旋轉塊通過軸承安裝于所述過渡塊的內部；所述的過渡塊設置在底座內。

進一步地，所述的角度調節支架包括活動支架體、設置于活動支架體后側的帶有軸孔的軸座一以及設置于旋轉塊內側的帶有軸孔的軸座二；所述的軸座一和所述的軸座二通過螺栓和螺母連接；所述的刮除刀片安裝于所述活動支架體內側。

進一步地，所述的刮除刀片通過螺絲可拆卸的安裝于角度調節支架的活動支架體內側。

進一步地，所述的旋轉塊采用手動驅動的方式驅動旋轉塊轉動。

進一步地，所述的角度調節支架安裝于間距調節塊的內側，所述的間距調節塊通過螺栓安裝于所述的旋轉塊內側，所述間距調節塊通過螺栓與所述的旋轉塊可拆卸連接，并且通過螺栓調節間距調節塊與旋轉塊之間的間距。

進一步地，所述的底座包括左半座體和右半座體，所述的左半座體和所述的右半座體內均設置有用于放置過渡塊的凹槽；所述的左半座體和所述的右半座體通過螺栓連接。

進一步地，使用加熱帶對半導電帶進行加熱硫化的溫度為150℃左右。

本發明的有益效果：本發明對半導電屏蔽層進行初步刮除后無需打磨，使用加熱帶對這種半導電帶進行加熱硫化。硫化后的半導電帶比較穩定，可以保證半導電屏蔽處與絕緣交界面過渡處的光滑平整。本發明的刮除裝置可以調節半導電屏蔽層斷口處的角度和長度，適用于不同外徑的電纜。

附圖說明

為了更清晰地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明的結構示意圖。

圖2為本發明的俯視圖。

具體實施方式

下面將通過具體實施方式對本發明的技術方案進行清楚、完整地描述。

實施例1

如圖1所示，為本發明的一種電纜半導電斷口處理方法，首先對半導電屏蔽層進行初步刮除；然后在絕緣層和半導電屏蔽層均勻的纏上1-2層半導電帶，再使用加熱帶對半導電帶進行加熱硫化。