[發明專利]金屬柵格的形成方法、圖像傳感器及其形成方法

在審

• 申請號: 201810318820.3
• 申請日: 2018-04-11
• 公開（公告）號: CN108666331A
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 龍海鳳;李天慧;黃曉櫓;羅加聘
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海領洋專利代理事務所(普通合伙) 31292
• 代理人: 吳靖靚

1.一種金屬柵格的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底內形成分立的光電二極管及深溝槽隔離結構，所述深溝槽隔離結構位于所述光電二極管之間；

在所述半導體襯底上形成無定型碳層；

在所述無定型碳層形成露出所述半導體襯底的凹槽，所述凹槽定義出金屬柵格的位置和尺寸；

在所述無定型碳層表面、凹槽側壁及底部形成絕緣層；

在所述絕緣層表面形成金屬層，所述金屬層填滿所述凹槽；

平坦化所述金屬層至露出所述無定型碳層上的所述絕緣層；

去除所述無定型碳層及其上的所述絕緣層，露出分立排列的金屬柵格。

2.如權利要求1所述金屬柵格的形成方法，其特征在于，形成所述無定型碳層采用化學氣相沉積法。

3.如權利要求1所述金屬柵格的形成方法，其特征在于，形成所述凹槽采用刻蝕工藝或灰化工藝。

4.如權利要求3所述的金屬柵格的形成方法，其特征在于，形成所述凹槽的刻蝕工藝采用的氣體是O₃。

5.如權利要求3所述的金屬柵格的形成方法，其特征在于，形成所述凹槽的灰化工藝的溫度范圍為300℃～800℃。

6.如權利要求1所述金屬柵格的形成方法，其特征在于，所述絕緣層的材料是氧化物或氮化物，形成所述絕緣層采用化學氣相沉積法。

7.如權利要求1所述金屬柵格的形成方法，其特征在于，所述金屬層的材料為鎢或鋁，形成所述金屬層采用化學氣相沉積法或物理氣相沉積法。

8.如權利要求1所述金屬柵格的形成方法，其特征在于，去除所述無定型碳層采用刻蝕工藝或灰化工藝。

9.如權利要求8所述的金屬柵格的形成方法，其特征在于，去除所述無定型碳層的刻蝕工藝采用的氣體是O₃。

10.如權利要求8所述的金屬柵格的形成方法，其特征在于，去除所述無定型碳層的灰化工藝的溫度范圍為300℃～800℃。

11.一種圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括：

權利要求1至10任一項所述的金屬柵格的形成方法；

在所述金屬柵格之間形成濾光層；

在所述濾光層上形成透鏡層。

12.一種如權利要求11所述的方法形成的圖像傳感器，其特征在于，包括：

半導體襯底；

光電二極管，位于所述半導體襯底內，且所述光電二極管分立排列；

深溝槽隔離結構，位于所述半導體襯底內，且位于所述光電二極管之間；

金屬柵格，分立排列于所述半導體襯底上；

絕緣層，位于所述金屬柵格的底部及側壁上；

濾光層，位于所述金屬柵格之間；

透鏡層，位于所述濾光層上。