[發明專利]被加工物的加工方法有效
| 申請號: | 201810316110.7 | 申請日: | 2018-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN108735666B | 公開(公告)日: | 2023-10-27 |
| 發明(設計)人: | 小幡翼 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 龐東成;褚瑤楊 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加工 方法 | ||
1.一種被加工物的加工方法,其是板狀的被加工物的加工方法,該板狀的被加工物具有透明的基板、層疊在該基板的表面的第1樹脂層、以及層疊在該基板的背面的第2樹脂層,該第1樹脂層由相互交叉的多條分割預定線劃分成多個區域,該加工方法的特征在于,其具備下述步驟:
帶粘貼步驟,將具有擴展性的粘接帶粘貼在該被加工物的該第2樹脂層上,
保持步驟,利用激光加工裝置的卡盤工作臺隔著該粘接帶對該被加工物進行保持,
樹脂層除去步驟,對該被加工物照射具有對于該第1樹脂層來說為吸收性、對于該透明基板來說為透過性的波長的激光束,利用燒蝕加工沿著該分割預定線除去該第1樹脂層,
改質層形成步驟,在實施該樹脂層除去步驟之后,越過除去了該第1樹脂層的表面側的區域對該被加工物照射所述激光束,在該透明基板的內部沿著該分割預定線形成折射率或機械強度與周圍不同的改質層,以及
分割步驟,在實施該改質層形成步驟之后,擴展該粘接帶,以該改質層為斷裂起點沿著該分割預定線將該透明基板和背面側的該第2樹脂層斷裂,將該被加工物分割成芯片。
2.如權利要求1所述的被加工物的加工方法,其中,所述改質層由保護通道構成,該保護通道由細孔和保護該細孔的該透明基板的改質區域形成。
3.如權利要求1所述的被加工物的加工方法,其中,所述第1樹脂層和第2樹脂層為再布線層,該被加工物為中介層基板。
4.如權利要求2所述的被加工物的加工方法,其特征在于,該保護通道在該透明基板的表面或背面露出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





