[發(fā)明專利]顯示基板及制作方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810315199.5 | 申請日： | 2018-04-10 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108511498A | 公開（公告）日： | 2018-09-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張博;王靜妮;郭坤 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/32 | 分類號(hào)： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 趙天月 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示基板 連接端子 顯示裝置 襯底 基板 金屬 導(dǎo)通 劃傷 燒斷 上層 層疊設(shè)置 雙層金屬 犧牲金屬 顯示品質(zhì) 良率 下層 制作 應(yīng)用 生產(chǎn) | ||
1.一種顯示基板，其特征在于，包括：
基板襯底，所述基板襯底包括邦定區(qū)域；以及
連接端子，所述連接端子設(shè)置在所述基板襯底上的所述邦定區(qū)域，所述連接端子包括層疊設(shè)置且互相接觸的第一金屬以及犧牲金屬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述犧牲金屬設(shè)置在所述基板襯底上，所述第一金屬設(shè)置在所述犧牲金屬遠(yuǎn)離所述基板襯底的一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述第一金屬在所述基板襯底上的正投影位于所述犧牲金屬在所述基板襯底上的正投影之內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述基板襯底包括顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域設(shè)置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極以及源漏極，
其中，所述犧牲金屬與所述柵極同層同材料設(shè)置，所述第一金屬與所述源漏極同層同材料設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述第一金屬設(shè)置在所述基板襯底上，所述犧牲金屬設(shè)置在所述第一金屬遠(yuǎn)離所述基板襯底的一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述犧牲金屬在所述基板襯底上的正投影位于所述第一金屬在所述基板襯底上的正投影之內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述基板襯底包括顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域設(shè)置有像素電極以及薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源漏極，
其中，所述犧牲金屬與所述像素電極同層同材料設(shè)置，所述第一金屬與所述源漏極同層同材料設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述基板襯底包括顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域設(shè)置有觸控電極以及薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源漏極，
其中，所述犧牲金屬與所述觸控電極同層同材料設(shè)置，所述第一金屬與所述源漏極同層同材料設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述犧牲金屬包括鉬以及氧化銦錫的至少之一，所述第一金屬包括鈦/鋁/鈦。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的顯示基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括：
柔性印刷線路板，所述柔性印刷線路板具有金屬端子，所述金屬端子與所述連接端子通過導(dǎo)電膜連接。
12.一種制作顯示基板的方法，其特征在于，包括：
提供基板襯底，所述基板襯底包括邦定區(qū)域；以及
在所述基板襯底上的所述邦定區(qū)域設(shè)置連接端子，所述連接端子包括層疊設(shè)置且互相接觸的第一金屬以及犧牲金屬。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述基板襯底包括顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域設(shè)置有薄膜晶體管，所述方法包括：
在所述基板襯底上，利用同一構(gòu)圖工藝同步設(shè)置所述犧牲金屬以及所述薄膜晶體管的柵極；
在所述犧牲金屬遠(yuǎn)離所述基板襯底的一側(cè)，利用同一構(gòu)圖工藝同步設(shè)置所述第一金屬以及所述薄膜晶體管的源漏極。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述基板襯底包括顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域設(shè)置有像素電極以及薄膜晶體管，所述方法包括：
在所述基板襯底上，利用同一構(gòu)圖工藝同步設(shè)置所述第一金屬以及所述薄膜晶體管的源漏極，
在所述第一金屬遠(yuǎn)離所述基板襯底的一側(cè)，利用同一構(gòu)圖工藝同步設(shè)置所述犧牲金屬以及所述像素電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述基板襯底包括顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域設(shè)置有觸控電極以及薄膜晶體管，所述方法包括：
在所述基板襯底上，利用同一構(gòu)圖工藝同步設(shè)置所述第一金屬以及所述薄膜晶體管的源漏極，
在所述第一金屬遠(yuǎn)離所述基板襯底的一側(cè)，利用同一構(gòu)圖工藝同步設(shè)置所述犧牲金屬以及所述觸控電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
