[發明專利]原子層化學氣相沉積系統生長(MO2)x(SiO2)1-x金屬氧化物薄膜的方法

在審

• 申請號: 201810313602.0
• 申請日: 2018-03-27
• 公開（公告）號: CN108486547A
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 李榮;湯振杰
• 申請（專利權）人: 安陽師范學院
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/455
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種原子層化學氣相沉積系統生長(MO₂)_x(SiO₂)_1-x金屬氧化物薄膜的方法，其特征在于具體步驟如下：

a)將基底放入適量無水乙醇中，超聲清洗1分鐘后，用去離子水超聲清洗3分鐘，去除表面雜質，然后利用高純氮氣吹干后置于原子層化學氣相沉積腔體內的樣品臺上，生長(MO₂)_x(SiO₂)_1-x金屬氧化物薄膜過程中，Si源選用三(二甲胺基)硅(Si(N(CH₃)₂)₃)，氧源可在臭氧和水中任選一種，M可在Hf、Zr、Ti中任選一種，所用金屬源分別為四(二甲胺基)鉿(Hf(N(CH₃)₂)₄)、四(二甲胺基)鋯(Zr(N(C₂H₅)₂)₄)、四(二甲胺基)鈦(Ti(N(CH₃)₂)₄)，襯底溫度在300-400℃范圍內，源的溫度在180-200℃范圍內；

b)利用原子層化學氣相沉積在基底上沉積(MO₂)_x(SiO₂)_1-x金屬氧化物薄膜時，首先生長n₁個循環的MO₂，n₁在1-5范圍內選擇，而后生長m₁個循環的SiO₂，m₁在1-5范圍內選擇，然后再生長n₂個循環的MO₂，n₂在1-5范圍內選擇，緊接著生長m₂個循環的SiO₂，m₂在1-5范圍內選擇，如此交替重復生長，其中交替重復生長次數根據薄膜厚度需要可在2-200范圍內選擇；

c)生長后的(MO₂)_x(SiO₂)_1-x金屬氧化物薄膜原位保溫時間控制在30-60分鐘范圍內。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于Si源選用三(二甲胺基)硅，Hf、Zr、Ti源分別選擇四(二甲胺基)鉿、四(二甲胺基)鋯、四(二甲胺基)鈦。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于MO₂和SiO₂交替重復生長，循環次數可以相同，也可不相同，交替重復生長次數相同。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于通過MO₂和SiO₂各自循環次數調控薄膜成分，通過交替重復生長次數控制薄膜厚度。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于基底在半導體襯底、玻璃襯底、金屬襯底中任選一種。

6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于生長的(MO₂)_x(SiO₂)_1-x金屬氧化物薄膜原位保溫30-60分鐘。