[發明專利]用來控制一記憶裝置的方法以及記憶裝置與控制器

有效

• 申請號: 201810313064.5
• 申請日: 2014-10-23
• 公開（公告）號: CN108447523B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 劉振宇
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發明公開用來控制記憶裝置的方法及相關記憶裝置與控制器，此方法包括：從多個區塊中的一系統區塊讀取一第二組錯誤更正組態參數的編碼數據，并利用低密度奇偶校驗引擎對所述編碼數據進行譯碼以取得所述第二組錯誤更正組態參數，而所述低密度奇偶校驗引擎儲存一第一組錯誤更正組態參數，且于對所述編碼數據進行譯碼時，所述低密度奇偶校驗引擎基于所述第一組錯誤更正組態參數進行對應于一第一低密度奇偶校驗特征矩陣的譯碼；以及控制所述低密度奇偶校驗引擎基于所述第二組錯誤更正組態參數進行對應于一第二低密度奇偶校驗特征矩陣的運作。本發明的方法、記憶裝置與控制器可于不同產品共享相同控制器芯片，省下設計多個版本的控制器芯片所需成本。

本申請要求2014年10月23日提交的名為“用來控制一記憶裝置的方法以及記憶裝置與控制器”的專利申請第201410580094.4號的優先權，并在此完全引述作為參考。

技術領域

本發明是有涉及閃存(Flash Memory)裝置的錯誤更正能力的控制，尤指一種用來控制一記憶裝置的方法以及其相關的記憶裝置與控制器。

背景技術

近年來由于閃存的技術不斷地發展，各種可攜式記憶裝置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD標準的記憶卡)被廣泛地實施于諸多應用中。因此，這些可攜式記憶裝置中的閃存的訪問控制遂成為相當熱門的議題。

以常用的NAND型閃存而言，其主要可區分為單階細胞(Single Level Cell,SLC)與多階細胞(Multiple Level Cell,MLC)兩大類的閃存。單階細胞閃存中的每個被當作記憶細胞(Memory Cell；亦可稱為「記憶單元」)的晶體管只有兩種電荷值，分別用來表示邏輯值0與邏輯值1。另外，多階細胞閃存中的每個被當作記憶細胞的晶體管的儲存能力則被充分利用，是采用較高的電壓來驅動，以通過不同級別的電壓在一個晶體管中記錄多個位的信息(例如：00、01、11、10)；理論上，多階細胞閃存的記錄密度可以達到單階細胞閃存的記錄密度的兩倍以上，這對于曾經在發展過程中遇到瓶頸的NAND型閃存的相關產業而言，是非常好的消息。

相較于單階細胞閃存，由于多階細胞閃存的價格較便宜，并且在有限的空間里可提供較大的容量，故多階細胞閃存很快地成為市面上的可攜式記憶裝置競相采用的主流。依據現有技術，由于某些類型的多階細胞閃存的運作復雜，故現有的存儲器控制器需要配置強大的錯誤更正機制，以確保用戶數據的正確性。然而，某些問題就產生了。例如：因應不同的錯誤更正能力需求，不同產品的存儲器控制器需要不同的設計，使得相關成本(例如：時間成本與材料成本)對應地增加。又例如：相較于市場上既有的產品，后續推出的產品中的存儲器控制器需要變更設計，使得相關成本(例如：時間成本與材料成本)對應地增加。因此，需要一種新穎的方法來加強控管閃存的數據存取，以在不產生副作用(例如：儲存數據錯誤)的狀況下提升整體效能。

發明內容

因此，本發明的一目的在于公開一種用來控制一記憶裝置的方法以及其相關的記憶裝置與控制器，以解決上述問題。

本發明的另一目的在于公開一種用來控制一記憶裝置的方法以及其相關的記憶裝置與控制器，以于不同的產品共享相同的控制器芯片。

本發明的另一目的在于公開一種用來控制一記憶裝置的方法以及其相關的記憶裝置與控制器，以在不更換控制器芯片的狀況下提升記憶裝置的運作效能。