[發明專利]半導體器件加工方法

有效

• 申請號: 201810311966.5
• 申請日: 2018-04-09
• 公開（公告）號: CN108428623B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發明（設計）人: 陳宏;王哲獻;曹子貴;王卉
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/82
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種半導體器件加工方法，其特征在于，包括：

提供一晶圓，所述晶圓具有缺口，所述晶圓上形成有通過90納米嵌入式閃存工藝平臺生產出來的若干芯片，所述芯片中存在殘留物；

將所述晶圓的所述缺口固定在一清洗臺的8點鐘方向至10點鐘方向之間，對所述晶圓進行清洗，所述晶圓清洗時豎直放置；以及

所述晶圓在清洗完成后，保持所述缺口方向不變，將所述晶圓沿豎直方向取出。

2.如權利要求1所述的半導體器件加工方法，其特征在于，所述芯片包括器件區和外圍區，所述器件區存在所述殘留物。

3.如權利要求2所述的半導體器件加工方法，其特征在于，在將所述晶圓取出的過程中，所述殘留物由所述器件區進入所述外圍區。

4.如權利要求2所述的半導體器件加工方法，其特征在于，所述殘留物位于所述器件區靠近所述外圍區一側。

5.如權利要求2所述的半導體器件加工方法，其特征在于，所述殘留物為易移動的殘留物。

6.如權利要求2所述的半導體器件加工方法，其特征在于，所述器件區包括閃存單元陣列，所述閃存單元陣列包括閃存單元，所述閃存單元包括襯底，位于所述襯底上的字線，位于所述襯底上分列于所述字線兩側的浮柵，位于所述浮柵上的控制柵，位于所述控制柵上的字線側墻。

7.如權利要求6所述的半導體器件加工方法，其特征在于，所述晶圓上形成有若干芯片，所述芯片中存在殘留物的步驟包括：

提供一前端結構，所述前端結構具有暴露出的襯底；

形成第一掩膜層覆蓋在所述前端結構上；

形成多晶硅層覆蓋在所述第一掩膜層上和暴露出的所述襯底上；

刻蝕所述多晶硅層在暴露出的所述襯底上形成邏輯門；

去除所述第一掩膜層；以及

刻蝕所述前端結構形成所述閃存單元。

8.如權利要求7所述的半導體器件加工方法，其特征在于，所述前端結構包括襯底，位于所述襯底上的字線，位于所述襯底上分列于所述字線兩側的浮柵，位于所述浮柵上的控制柵，位于所述控制柵上的字線側墻，所述字線側墻暴露出部分所述控制柵。

9.如權利要求8所述的半導體器件加工方法，其特征在于，刻蝕所述前端結構形成所述閃存單元包括：使用第二掩膜層覆蓋所述邏輯門所在區域，并同時以所述字線側墻為掩膜刻蝕所述控制柵以及所述浮柵直至暴露出所述襯底。

10.如權利要求9所述的半導體器件加工方法，其特征在于，所述第二掩膜層覆蓋所述邏輯門所在區域時，同時覆蓋靠近所述邏輯門一側的所述前端結構的浮柵以及控制柵的一部分。

11.如權利要求10所述的半導體器件加工方法，其特征在于，刻蝕所述前端結構形成所述閃存單元后，產生剝落物，所述剝落物包括被所述第二掩膜層覆蓋的控制柵以及所述被所述第二掩膜層覆蓋的控制柵下方的浮柵。

12.如權利要求11所述的半導體器件加工方法，其特征在于，所述殘留物的材質包括多晶硅。

13.如權利要求1所述的半導體器件加工方法，其特征在于，所述晶圓清洗時，經過第一清洗槽、第二清洗槽及第三清洗槽；在所述第一清洗槽中采用氫氟酸清洗，在所述第二清洗槽中采用硫酸和雙氧水清洗，在所述第三清洗槽中，采用氨水和雙氧水清洗。