[發明專利]高功率密度塑封式IPM模塊的封裝結構及加工工藝在審
| 申請號： | 201810311883.6 | 申請日： | 2018-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN108321134A | 公開（公告）日： | 2018-07-24 |
| 發明（設計）人： | 王艷;鮑忠和;徐文藝 | 申請（專利權）人： | 黃山寶霓二維新材科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/367 | 分類號： | H01L23/367;H01L23/373;H01L25/16;H01L21/60 |
| 代理公司： | 蘇州國誠專利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韓鳳 |
| 地址： | 245900 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石墨烯 直接敷銅基板 高功率 塑封 填充 圖形化生長 封裝結構 封裝樹脂 上表面 快速恢復二極管芯片 化學氣相沉積 熱傳導性能 石墨烯薄膜 印刷電路板 傳導性能 導熱銀膠 封裝材料 鍵合引線 局部熱點 驅動芯片 塑封外殼 引線框架 導熱膠 焊料層 內熱 傳導 | ||
1.高功率密度塑封式IPM模塊的封裝結構，其特征在于，包括：
驅動芯片(17)上表面的電路輸出端與印刷電路板(19)上表面的對應焊盤引線鍵合，驅動芯片(17)下表面由石墨烯填充增強導熱銀膠(18)與印刷電路板(19)互連；
還包括直接敷銅基板(12)，其上表面具有第一銅層(13)，其下表面具有第二銅層(11)，在直接敷銅基板(12)第一銅層(13)上對應快速恢復二極管芯片(16)陰極的位置制作有第一石墨烯薄膜(30)，在直接敷銅基板(12)第一銅層(13)上對應MOSFET芯片(15)漏極的位置制作有第二石墨烯薄膜(31)；所述第一銅層(13)與快速恢復二極管芯片(16)的陰極、MOSFET芯片(15)的漏極通過焊料層(14)互連，所述焊料層(14)將第一石墨烯薄膜(30)、第二石墨烯薄膜(31)包裹在內；
由外殼(29)將所述驅動芯片(17)、印刷電路板(19)、直接敷銅基板(12)、MOSFET芯片(15)、快速恢復二極管芯片(16)及所有鍵合引線封裝起來。
2.根據權利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模塊的封裝結構，其特征在于，所述外殼(29)內部由石墨烯填充增強環氧樹脂(26)進行灌封。
3.根據權利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模塊的封裝結構，其特征在于，還包括引線框架(25)，由焊料層(14)與直接敷銅基板(12)上表面第一銅層(13)以及印刷電路板(19)上表面輸出引出端(28)互連。
4.根據權利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模塊的封裝結構，其特征在于，所述快速恢復二極管芯片(16)上表面陽極與引線框架(25)的對應位置用第一鋁線組(24)鍵合，快速恢復二極管芯片(16)下表面陰極由焊料層(14)與直接敷銅基板(12)的上表面(13)圖形化互連。
5.根據權利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模塊的封裝結構，其特征在于，所述MOSFET芯片(15)上表面源極與快速恢復二極管芯片(16)的陽極用第二鋁線組(23)鍵合，MOSFET芯片(15)柵極與印刷電路板(19)上表面的柵極驅動引出端(20)用第三鋁線組(22)鍵合，MOSFET芯片(15)下表面漏極由焊料層(14)與直接敷銅基板(12)的上表面(13)圖形化互連。
6.根據權利要求3所述的高功率密度塑封式IPM模塊的封裝結構，其特征在于，所述引線框架(25)局部伸出外殼(29)。
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