[發(fā)明專利]包括寫入輔助電路的存儲器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810311688.3
• 申請日: 2018-04-09
• 公開（公告）號: CN108694975B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發(fā)明（設計）人: 白尚葉;李仁學;韓相信;金兌衡;崔在承;樸城賢;崔賢洙
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/419
• 分類號: G11C11/419;G11C11/412
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李敬文

一種存儲器件包括：第一寫入輔助電路，向與第一位線對連接的第一存儲單元提供單元電壓或?qū)懭胼o助電壓；第一寫入驅(qū)動器，通過所述第一位線對向所述第一存儲單元提供寫入數(shù)據(jù)；第二寫入輔助電路，向與第二位線對連接的第二存儲單元提供所述單元電壓或所述寫入輔助電壓；以及第二寫入驅(qū)動器，通過所述第二位線對向所述第二存儲單元提供寫入數(shù)據(jù)。所述第一寫入輔助電路和所述第二寫入輔助電路中的一個響應于列選擇信號來提供所述寫入輔助電壓，并且所述第一寫入輔助電路和所述第二寫入輔助電路中的另一個響應于所述列選擇信號來提供所述單元電壓，其中，所述列選擇信號用于從所述第一寫入驅(qū)動器和所述第二寫入驅(qū)動器當中選擇一個提供寫入數(shù)據(jù)的寫入驅(qū)動器。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2017年4月11日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局遞交的韓國專利申請No.10-2017-0046849的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本文所描述的發(fā)明構(gòu)思的實施例涉及半導體存儲器件，更具體地，涉及包括寫入輔助電路的存儲器件。

背景技術(shù)

在諸如例如靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)器件之類的存儲器件中，由于制造工藝中發(fā)生的工藝變化，存儲單元可能無法確保穩(wěn)定的寫入操作。為此，SRAM器件可以使用對寫入操作進行輔助的寫入輔助電路。在寫入操作期間，寫入輔助電路可臨時調(diào)節(jié)要施加到存儲單元的電壓，以便對寫入操作更有利。

SRAM器件的僅一些存儲單元可以使用寫入輔助操作。然而，即使在不執(zhí)行寫入操作的存儲單元中也可能會執(zhí)行寫入輔助操作。根據(jù)以上描述，由于可能對不需要寫入輔助操作的存儲單元執(zhí)行寫入輔助操作，所以不必要地消耗了電力。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的實施例提供包括與所選列相關(guān)聯(lián)地操作的寫入輔助電路的存儲器件。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，一種存儲器件可以包括：第一寫入輔助電路，向與第一位線對連接的第一存儲單元提供單元電壓或?qū)懭胼o助電壓；第一寫入驅(qū)動器，通過所述第一位線對向所述第一存儲單元提供寫入數(shù)據(jù)；第二寫入輔助電路，向與第二位線對連接的第二存儲單元提供所述單元電壓或所述寫入輔助電壓；以及第二寫入驅(qū)動器，通過所述第二位線對向所述第二存儲單元提供寫入數(shù)據(jù)。所述第一寫入輔助電路和所述第二寫入輔助電路中的一個可以響應于列選擇信號來提供所述寫入輔助電壓，所述列選擇信號用于從所述第一寫入驅(qū)動器和所述第二寫入驅(qū)動器當中選擇一個提供寫入數(shù)據(jù)的寫入驅(qū)動器，并且所述第一寫入輔助電路和所述第二寫入輔助電路中的另一個可以響應于所述列選擇信號來提供所述單元電壓。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，一種存儲器件可以包括寫入驅(qū)動器以及寫入輔助電路。所述寫入輔助電路可以包括：第一PMOS晶體管，連接在單元電壓和所述寫入輔助電路的輸出節(jié)點之間；第二PMOS晶體管，其柵極與地電壓連接，第一端與所述輸出節(jié)點連接；第一NMOS晶體管，與所述第二PMOS晶體管的第二端連接，并根據(jù)來自所述寫入驅(qū)動器的第一信號導通或截止；以及第二NMOS晶體管，與所述第一NMOS晶體管并聯(lián)連接，并根據(jù)來自所述寫入驅(qū)動器的第二信號導通或截止。所述第一PMOS晶體管和所述第二PMOS晶體管可以沿垂直于柵極形成方向的第一方向位于襯底的PMOS區(qū)域上，所述第一NMOS晶體管和所述第二NMOS晶體管可以沿所述第一方向位于所述襯底的NMOS區(qū)域上。所述第二PMOS晶體管的所述第二端可以沿所述柵極形成方向通過接觸區(qū)域與所述第一NMOS晶體管連接。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，一種存儲器件，包括：存儲單元；寫入輔助電路，被配置為將單元電壓或輔助電壓傳送到所述存儲單元；以及寫入驅(qū)動器，通過位線對連接到所述存儲單元，所述寫入驅(qū)動器被配置為接收用來選擇是否向所述存儲單元提供寫入數(shù)據(jù)的列選擇信號，并且響應于所述列選擇信號產(chǎn)生針對所述寫入輔助電路的輔助選擇信號。所述輔助電壓可以小于所述單元電壓。如果所述存儲單元由所述列選擇信號選擇為接收寫入數(shù)據(jù)，則所述寫入輔助電路可以被配置為將所述輔助電壓傳送到所述存儲單元，并且如果所述存儲單元未由所述列選擇信號選擇為接收寫入數(shù)據(jù)，則所述寫入輔助電路可以被配置為將所述單元電壓傳送到所述存儲單元。