[發明專利]有機發光顯示裝置在審
| 申請號: | 201810311128.8 | 申請日: | 2018-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN108933155A | 公開(公告)日: | 2018-12-04 |
| 發明(設計)人: | 洪相玟;丁憙星 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素電極 參考線 有機發光顯示裝置 開口 疊置 像素 絕緣層 有機發光器件 像素限定層 有機發射層 發光區域 方向垂直 偏移 對電極 中心點 暴露 延伸 覆蓋 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,所述有機發光顯示裝置包括:
多個像素,所述多個像素包括發射不同顏色的多個第一像素、多個第二像素和多個第三像素,
其中:
所述多個第一像素中的至少一個第一像素包括:第一有機發光器件,包括第一像素電極、第一有機發射層和第一對電極;第一像素限定層,覆蓋所述第一像素電極的邊緣并且被構造為通過具有暴露所述第一像素電極的一部分的第一開口來限定發光區域;以及第一參考線,在第一方向上延伸并且與所述第一像素電極疊置,絕緣層設置在所述第一參考線與所述第一像素電極之間,
所述第一參考線與所述第一開口的中心點疊置,
所述第一開口在與所述第一方向垂直的第二方向上偏移到所述第一像素電極的一側。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,與所述第一開口疊置的、布置在布置有所述第一參考線的同一層上的并且布置在所述第一參考線的第一側上的線的數量和與所述第一開口疊置的、布置在布置有所述第一參考線的所述同一層上的并且布置在所述第一參考線的與所述第一側相對的第二側上的線的數量相等。
3.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中:
所述多個第二像素中的至少一個第二像素包括:第二有機發光器件,包括第二像素電極、第二有機發射層和第二對電極;第二像素限定層,覆蓋所述第二像素電極的邊緣并被構造為通過具有暴露所述第二像素電極的一部分的第二開口來限定發光區域;以及第二參考線,與所述第二像素電極疊置,絕緣層位于所述第二參考線與所述第二像素電極之間,并且所述第二參考線在所述第一方向上延伸,
所述第二參考線與所述第二開口的中心點疊置,
所述第二開口在與所述第一方向垂直的所述第二方向上偏移到所述第二像素電極的一側。
4.根據權利要求3所述的有機發光顯示裝置,其中,所述多個第一像素顯示綠色,所述多個第二像素顯示藍色。
5.根據權利要求4所述的有機發光顯示裝置,其中:
在所述多個第一像素中的每個第一像素的所述第一開口中,僅布置所述第一參考線,
在所述多個第二像素中的每個第二像素的所述第二開口中,第一附加線和第二附加線分別布置在所述第二參考線的兩側上。
6.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中:
所述多個第二像素中的至少一個第二像素包括:第二有機發光器件,包括第二像素電極、第二有機發射層和第二對電極;以及第二像素限定層,覆蓋所述第二像素電極的邊緣并且被構造為通過具有暴露所述第二像素電極的一部分的第二開口來限定發光區域,
所述第二開口在與所述第一方向垂直的所述第二方向上偏移到所述第二像素電極的一側,并且所述第二開口向所述第二像素電極的一側偏移的程度根據所述多個第二像素的相應位置而變化。
7.根據權利要求6所述的有機發光顯示裝置,其中,所述第二開口向所述第二像素電極的一側偏移的程度根據所述多個第二像素在所述第二方向上布置的位置而逐漸改變。
8.根據權利要求6所述的有機發光顯示裝置,其中:
所述多個第三像素中的至少一個第三像素包括:第三有機發光器件,包括第三像素電極、第三有機發射層和第三對電極;以及第三像素限定層,覆蓋所述第三像素電極的邊緣并且被構造為通過具有暴露所述第三像素電極的一部分的第三開口來限定發光區域,
所述第三開口在垂直于所述第一方向的所述第二方向上偏移到所述第三像素電極的一側,所述第三開口向所述第三像素電極的一側偏移的程度根據所述多個第三像素的相應位置而變化。
9.根據權利要求8所述的有機發光顯示裝置,其中,所述多個第二像素顯示紅色,所述多個第三像素顯示藍色。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





