[發明專利]雙光子雙光束超分辨光存儲材料讀寫裝置和讀寫方法有效
| 申請號: | 201810311116.5 | 申請日: | 2018-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN108877844B | 公開(公告)日: | 2020-04-03 |
| 發明(設計)人: | 劉鐵誠;阮昊 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海光學精密機械研究所 |
| 主分類號: | G11B7/1365 | 分類號: | G11B7/1365;G11B20/10;G11B27/26 |
| 代理公司: | 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 張寧展 |
| 地址: | 201800 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光子 光束 分辨 存儲 材料 讀寫 裝置 方法 | ||
1.一種雙光子雙光束超分辨光存儲材料讀寫裝置,其特征在于包括光路和計算機(36),所述的光路由記錄光路、讀出光路和熒光收集光路組成:
所述的記錄光路包括波長可調脈沖激光器(1),該脈沖激光器(1)輸出的激光經第一光纖耦合器(2)、第一翻轉鏡架(3)輸出脈沖光,該脈沖光經第二翻轉鏡架(7)、第一聲光調制器(8)、第一擴束透鏡組(9)后作為中心誘導光;第一連續激光器(10)輸出的激光經第二光纖耦合器(11)、第二聲光調制器(12)、第二擴束透鏡組(13)、第一渦旋相位片(14)、第一反射鏡(15)、第一偏振分光棱鏡(16)、第一1/4波片(17)后作為第一外圍抑制光,該第一外圍抑制光通過第一二向色鏡(18)與所述的中心誘導光合束形成記錄光束,該記錄光束經第二二向色鏡(27)、第三二向色鏡(28)、1/2波片(29)、第三1/4波片(30)和物鏡(31)后照射位于納米位移臺(32)上的光存儲材料薄膜,該光存儲材料薄膜為光致變色材料薄膜,以下簡稱為樣品;記錄光路中包括淬滅熒光光路,所述光路包括波長可調脈沖激光器(1),該脈沖激光器(1)輸出的激光經所述的第一光纖耦合器(2)、翻轉鏡架(3)、第二反射鏡(4)、倍頻晶體(5)后輸出倍頻脈沖激光,該脈沖激光通過第三反射鏡(6)、翻轉鏡架(7)、第一聲光調制器(8)、第一擴束透鏡組(9)后作為淬滅光,該淬滅激光經第一二向色鏡(18)、第二二向色鏡(27)、第三二向色鏡(28)、1/2波片(29)、第三1/4波片(30)、物鏡(31)后照射位于納米位移臺(32)上的光存儲材料薄膜,將熒光信息淬滅;
所述的讀出光路包括第一連續激光器(10),該激光器(10)輸出的激光經所述的第二光纖耦合器(11)、第二聲光調制器(12)、第二擴束透鏡組(13),并通過計算機移除第一渦旋相位片(14),經過第一反射鏡(15)、第一偏振分光棱鏡(16)、第一1/4波片(17)、第一二向色鏡(18)作為中心讀出光;第二連續激光器(19)輸出的激光經第三光纖耦合器(20)、第三聲光調制器(21)、第三擴束透鏡組(22)、第二渦旋相位片(23)、第四反射鏡(24)、第二偏振分光棱鏡(25)、第二1/4波片(26)后作為第二外圍抑制光,該第二外圍抑制光經第二二向色鏡(27)與所述的中心讀出光合束形成讀出光束,該讀出光束經第三二向色鏡(28)、1/2波片(29)、第三1/4波片(30)和物鏡(31)后照射位于納米位移臺(32)上的樣品;
熒光收集光路為:納米位移臺(32)上的樣品產生的熒光經所述的物鏡(31)、第三1/4波片(30)、1/2波片(29)、第三二向色鏡(28)、聚焦透鏡(33)、光纖(34),輸入單光子計數器(35);
所述的第一擴束透鏡組(9)、第二擴束透鏡組(13)、第三擴束透鏡組(22)是由一對正負透鏡組成對光束進行擴束;
所述的計算機(36)與所述的納米位移臺(32)、第一聲光調制器(8)、第二聲光調制器(12)、第三聲光調制器(21)、第一渦旋相位片(14)、第二渦旋相位片(23)的控制端相連,所述的單光子計數器(35)的輸出端與所述的計算機(36)的輸入端相連。
2.根據權利要求1所述的雙光子雙光束超分辨光存儲材料讀寫裝置,其特征在于所述的光致變色材料薄膜,包括二芳基乙烯衍生物薄膜、俘精酸酐衍生物薄膜、偶氮類衍生物薄膜或螺吡喃材料薄膜。
3.利用權利要求1所述的雙光子雙光束超分辨光存儲材料讀寫裝置的讀寫方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
記錄步驟:
1)對二芳基乙烯衍生物薄膜進行預處理,保證薄膜單體均為暗態,即為不可記錄狀態;
2)將所述的樣品置于所述的納米位移臺(32)上,在計算機(36)的控制下,所述的納米位移臺(32)將所述的樣品移位,使所述樣品的第1記錄點位于所述物鏡(30)的焦點位置方向,并令i=1;
3)計算機判斷:若第i記錄點不需要記錄,則進入步驟5),需要記錄則進入下一步;
4)所述的計算機(36)控制開啟第二聲光調制器(12),使所述的第一連續激光器(10)輸出的激光通過記錄光路,將樣品的記錄平面的第i記錄點區域渦旋光中心d/2范圍外的暗態保持,同時開啟第一聲光調制器(8),使所述的脈沖激光器(1)輸出的激光經第一光纖耦合器(2)輸出脈沖光,該脈沖光經第一翻轉鏡架(3)、第二翻轉鏡架(7)、第一聲光調制器(8)、第一擴束透鏡組(9)后形成中心誘導光并經記錄光路將第i記錄點區域渦旋光中心d/2范圍內的暗態轉為亮態,而外圍通過光抑制的方式始終保持暗態;待中心d/2范圍內的暗態全部轉為亮態后,所述的計算機(36)控制關閉第二聲光調制器(12),同時手動打開第一翻轉鏡架(3)、第二翻轉鏡架(7),手動調整脈沖激光器(1)波長,經第一光纖耦合器(2)、翻轉鏡架(3)、第二反射鏡(4)、倍頻晶體(5)產生倍頻脈沖激光,該倍頻脈沖激光通過第三反射鏡(6)、第二翻轉鏡架(7)、第一聲光調制器(8)、第一擴束透鏡組(9)后形成淬滅光,該淬滅光經過記錄光路將第i記錄點區域渦旋光中心d/2范圍內的亮態轉為淬滅態;
5)所述的計算機(36)關閉所述的第一聲光調制器(8)、第二聲光調制器(12),并控制納米位移臺(32)將所述樣品移動至i=i+1記錄點,并返回步驟3),當記錄面的所有記錄點全部掃描完,即進入下一步;
6)完成記錄,結束;
讀出步驟:
1)對二芳基乙烯衍生物薄膜進行預處理,將除淬滅態之外的暗態全部轉為亮態,即可讀出熒光態;
2)將樣品安置在所述的納米位移臺(32)上,在所述的計算機(36)的控制下,所述的納米位移臺(32)將所述的樣品移位,使所述樣品的第1記錄點位于所述物鏡(31)的焦點位置方向,并令i=1;
3)所述的計算機(36)開啟第三聲光調制器(21),所述的第二連續激光器(19)輸出的激光經第三光纖耦合器(20)、第三聲光調制器(21)、第三擴束透鏡組(22)、第二渦旋相位片(23)、第四反射鏡(24)、第二偏振分光棱鏡(25)、第二1/4波片(26)后作為第二外圍抑制光,經讀出光路對記錄點i掃描;所述的計算機(36)開啟第二聲光調制器(12),所述的第一連續激光器(10)輸出的激光經第二光纖耦合器(11)、第二聲光調制器(12)、第二擴束透鏡組(13),并通過計算機移除第一渦旋相位片(14),通過第一反射鏡(15)、第一偏振分光棱鏡(16)、第一1/4波片(17)、第一二向色鏡(18)后作為中心讀出光經讀出光路同時照射所述的記錄點i,記錄點i產生的熒光經所述的熒光收集光路輸入所述的單光子計數器(35)計數,若輸出為亮點,則說明沒有記錄信息,若輸出為暗點,則說明有記錄信息,該單光子計數器(35)將信息輸入所述的計算機(36),完成記錄點i的讀出;
4)在所述的計算機(36)的控制下,所述的納米位移臺(32)將所述的樣品移位到下一個記錄點,并令i=i+1,返回步驟3);當樣品的所有的記錄點全部讀出后,進入下一步;
5)完成讀出,所述的計算機(36)根據所述的單光子計數器(35)實時采集的信息經過圖像處理后,產生記錄信息圖像。
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