[發明專利]一種半導體橋芯片及其封裝結構在審
| 申請號： | 201810310798.8 | 申請日： | 2018-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN108426489A | 公開（公告）日： | 2018-08-21 |
| 發明（設計）人： | 王寬厚;趙偉紅;董振斌;陳堅 | 申請（專利權）人： | 陜西航晶微電子有限公司 |
| 主分類號： | F42B3/13 | 分類號： | F42B3/13;F42B33/02;H01L23/49 |
| 代理公司： | 西安毅聯專利代理有限公司 61225 | 代理人： | 楊燕珠 |
| 地址： | 710000 陜西省西安市航天基地*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體橋 芯片 二氧化硅層 多晶硅層 通孔 金屬導電區 單晶硅層 封裝結構 金屬電極 半導體工藝 電信號傳遞 單晶硅 垂直連接 區域設置 電極塞 火工品 上表面 焊線 貫穿 覆蓋 生產 | ||
1.一種半導體橋芯片，其特征在于，包括：
位于半導體橋芯片的底層的單晶硅層；
在所述單晶硅的上表面氧化形成二氧化硅層；
在所述二氧化硅層的部分區域設置有多晶硅層；
所述多晶硅層上覆蓋有金屬電極；
還包括貫穿所述多晶硅層、二氧化硅層以及單晶硅層的通孔，所述通孔內設置有金屬導電區，所述金屬導電區將金屬電極獲得的電信號傳遞至整個通孔。
2.根據權利要求1所述的一種半導體橋芯片，其特征在于，所述金屬導電區為通孔內設置金屬導線形成。
3.根據權利要求1或2所述的一種半導體橋芯片，其特征在于，所述金屬導電區為通孔經過氧化形成的二氧化硅層沉積金屬種子層形成。
4.根據權利要求3所述的一種半導體橋芯片，其特征在于，所述沉積金屬種子層上電鍍有金屬層。
5.根據權利要求1所述的一種半導體橋芯片，其特征在于，所述半導體橋芯片的中心區域，且位于多晶硅層上刻蝕形成橋區，所述通孔包括至少兩個，分別位于橋區的兩側。
6.根據權利要求5所述的一種半導體橋芯片，其特征在于，所述橋區呈“H”形。
7.根據權利要求1所述的一種半導體橋芯片，其特征在于，所述金屬電極的橫向截面面積大于所述通孔的橫向截面面積。
8.一種封裝結構，其特征在于，包括電極塞和如權利要求1-7所述的半導體橋芯片，所述電極塞包括電極塞本體，以及與電極塞本體連接的腳線，所述腳線用于接收半導體芯片傳遞的電信號，所述腳線與所述通孔連接設置。
9.根據權利要求8所述的一種封裝結構，其特征在于，所述通孔的軸線與所述腳線的軸線對齊。
10.根據權利要求8或9所述的一種封裝結構，其特征在于，所述電極塞本體的上表面和所述半導體橋芯片的單晶硅層的下表面焊接固定。
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