[發明專利]MEMS聲學換能器元件和制造MEMS聲學換能器元件的方法

有效

• 申請號: 201810307956.4
• 申請日: 2018-04-08
• 公開（公告）號: CN108696811B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: M·施泰爾特;H·托伊斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H04R19/00
• 分類號: H04R19/00;H04R31/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種用于制造MEMS聲學換能器元件（100）的方法，包括以下步驟：

提供第一襯底（200），所述第一襯底具有第一襯底側（201）、對置的第二襯底側（202）和布置在所述第一襯底側（201）上的膜層（203），

提供在與第一襯底的第一襯底側平行的方向上與所述膜層鄰近并且不重疊的電路裝置（204），

從所述第二襯底側（202）起，在對置于所述膜層（203）的第一面部段（221）中實施第一蝕刻，直到第一深度（d₁），

從所述第二襯底側（202）起，在大于所述第一面部段（221）并且包括所述第一面部段（221）的第二面部段（222）中實施第二蝕刻，以便在所述第一面部段（221）中使得所述膜層（203）裸露暴露并且為所述膜層（203）產生背部容積。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括將蓋（240）安裝到所述第二襯底側（202）上，其中，所述蓋（240）與所述第一襯底（200）一起形成閉合腔（208），所述閉合腔為所述膜層（203）提供所述背部容積。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在所述第一蝕刻之前，在空出與所述膜層（203）對置的第一面部段（221）的情況下，將第一蝕刻掩模（211）布置在所述第二襯底側（202）上，并且其中，實施使用所述第一蝕刻掩模（211）的所述第一蝕刻。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在所述第二蝕刻之前，將第二蝕刻掩模（212）布置在所述第二襯底側（202）上，其中，所述第二蝕刻掩模（212）圍繞所述第二面部段（222），并且其中，實施使用所述第二蝕刻掩模（212）的所述第二蝕刻。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在所述第一蝕刻之前并且在所述第二蝕刻之前，將第一蝕刻掩模（211）和第二蝕刻掩模（212）布置在所述第二襯底側（202）上，其中，所述第一蝕刻掩模（211）在與所述膜層（203）對置的第一面部段（221）中具有留空部，并且所述第二蝕刻掩模（212）圍繞所述第二面部段（222），其中，使用所述第一蝕刻掩模（211）進行所述第一蝕刻，并且實施使用所述第二蝕刻掩模（212）的所述第二蝕刻。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述第一蝕刻掩模（211）至少部分地覆蓋所述第二蝕刻掩模（212）。

7.根據權利要求中1所述的方法，還包括將遮蓋部（301）布置在所述第一襯底側（201）上，其中，所述遮蓋部（301）與所述膜層（203）間隔并且至少部分地覆蓋所述膜層（203），并且其中，所述遮蓋部（301）具有對置于所述膜層（203）的開口（302）。

8.根據權利要求1或2所述的方法，還包括布置接觸部段（205），以用于電接觸所述MEMS聲學換能器元件（100），其中，所述接觸部段（205）布置在所述第一襯底側（201）上。

9.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述電路裝置（204）是被集成在所述第一襯底側（201）中的電路裝置，或者其中，所述電路裝置（204）是構造在單獨元件（263）中的電路裝置，所述電路裝置與所述第一襯底（200）至少機械耦合或電耦合。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括布置接觸部段（205），以用于電接觸所述MEMS聲學換能器元件（100），其中，所述接觸部段（205）布置在所述電路裝置（204）的背離于所述第一襯底側（201）的側面（601）上。

11.根據權利要求1或2所述的方法，還包括將所述電路裝置（204）布置在所述背部容積（250）的內部。

12.根據權利要求1所述的方法，還包括利用澆鑄料至少澆鑄所述第一襯底側（201）。