[發明專利]半導體制造裝置和用于半導體制造的方法

有效

• 申請號: 201810307831.1
• 申請日: 2018-04-08
• 公開（公告）號: CN109585331B
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 許泳順;張景郁;張喬凱;謝偉康;林建坊
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發明實施例提供了半導體制造裝置。半導體制造裝置包括處理室；提供在處理室中并且被配置為固定和旋轉半導體晶圓的襯底臺；配置為將化學物質噴射至處理室的氣體噴射器；附接至氣體噴射器的窗口；以及與氣體噴射器和窗口耦接的可調式緊固器件。本發明實施例涉及具有可調式氣體噴射器的集成電路制造系統。

技術領域

本發明實施例涉及具有可調式氣體噴射器的集成電路制造系統。

背景技術

半導體集成電路(IC)產業經歷了指數增長。IC材料和設計中的技術進步已經產生了多代IC，其中，每一代IC都比上一代IC具有更小和更復雜的電路。在IC演化過程中，功能密度(即，每芯片面積的互連器件的數量)已經普遍增大，而幾何尺寸(即，可以使用制造工藝產生的最小組件或線)已經減小。這種按比例縮小工藝通常通過提高生產效率和降低相關成本來提供益處。這種按比例縮小增加了處理和制造IC的復雜性，并且為了實現這些進步，需要IC處理和制造設備中的類似發展。在一個實例中，利用等離子體處理系統來實施等離子體蝕刻工藝。在等離子體蝕刻期間，等離子體由蝕刻的材料的元素與由等離子體產生的反應物質之間的化學反應產生揮發性蝕刻產物，這改變了靶標的表面。等離子體處理系統包括保持在真空狀態的處理室和化學物質供應模塊，以提供化學蝕刻的化學物質。然而，現有的IC制造系統中的化學物質供應模塊出現泄漏問題，這進一步降低了蝕刻性能。因此，提供一種沒有上述缺點的IC制造系統和利用該系統的方法是期望的。

發明內容

根據本發明的一些實施例，提供了一種半導體制造裝置，包括：處理室；襯底臺，提供在所述處理室中并且被配置為固定和旋轉半導體晶圓；氣體噴射器，配置為將化學物質噴射至所述處理室；窗口，附接至所述氣體噴射器；以及可調式緊固器件，與所述氣體噴射器和所述窗口耦接。

根據本發明的另一些實施例，還提供了一種半導體制造裝置，包括：處理室；襯底臺，配置在所述處理室中并且可操作以固定和旋轉半導體晶圓；氣體噴射器，附接至所述處理室并且設計為將化學物質噴射至所述處理室；O形環，提供至所述氣體噴射器；窗口，附接至所述氣體噴射器并且與所述O形環直接接觸；氣體噴射器蓋，設置在所述窗口上；以及可調式緊固器件，與所述氣體噴射器集成并且設計為將所述窗口和所述氣體噴射器蓋固定至具有可調高度的所述氣體噴射器。

根據本發明的另一些實施例，還提供了一種用于半導體制造的方法，所述方法包括：提供半導體裝置，所述半導體裝置還包括處理室；襯底臺，配置在所述處理室中并且可操作以固定和旋轉半導體晶圓；氣體噴射器，附接至所述處理室并且設計為將化學物質噴射至所述處理室；O形環，配置為至所述氣體噴射器；窗口，附接至所述氣體噴射器并且與所述O形環直接接觸；氣體噴射器蓋，設置在所述窗口上；以及可調式緊固器件，與所述氣體噴射器集成并且設計為將所述窗口和所述氣體噴射器蓋固定至具有可調高度的所述氣體噴射器，其中，所述可調式緊固器件包括配置在所述氣體噴射器蓋上的基板；以及將所述氣體噴射器蓋緊固至所述氣體噴射器的多個緊固件，其中，每個所述緊固件均包括螺栓、套裝在所述螺栓上的第一螺母和第二螺母，其中，所述第一螺母配置在所述基板之上，并且所述第二螺母配置在所述基板和所述氣體噴射器蓋之間；調整所述可調式緊固器件將所述窗口固定至具有可調高度的所述氣體噴射器；以及通過所述半導體裝置對所述半導體晶圓實施蝕刻工藝。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該強調，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1示出了根據一些實施例構建的用于集成電路制造的等離子體模塊的示意圖。

圖2示出了根據一些實施例構建的具有可調式緊固機構的氣體噴射器的等離子體模塊的示意圖。

圖3A示出了根據一些實施例構建的可調式緊固器件的示意圖。

圖3B示出了根據一些實施例構建的可調式緊固器件的俯視圖。