[發(fā)明專利]一種基于殼溫實(shí)時(shí)反饋的CMOS圖像傳感器老煉方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810307261.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108519116A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-09-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于思源;王強(qiáng);譚立英;馬晶 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈工大衛(wèi)星激光通信股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01D18/00 | 分類號(hào): | G01D18/00;G05B11/42;G05D23/19;G05D23/24 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109 | 代理人: | 岳泉清 |
| 地址: | 150000 黑龍江省哈爾濱市哈爾濱高新技術(shù)*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 老煉 數(shù)字處理板 溫度控制量 實(shí)時(shí)測(cè)溫 實(shí)時(shí)反饋 環(huán)境溫度傳感器 數(shù)字PID運(yùn)算 溫度傳感器 標(biāo)準(zhǔn)要求 控溫儀 控溫 發(fā)熱 損傷 | ||
1.一種基于殼溫實(shí)時(shí)反饋的CMOS圖像傳感器老煉方法,其特征在于:所述方法具體過(guò)程為:
步驟一、采用器件溫度傳感器對(duì)CMOS圖像傳感器芯片的殼溫進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)溫;
步驟二、將步驟一測(cè)得的溫度值發(fā)送給數(shù)字處理板;
步驟三、環(huán)境溫度傳感器對(duì)當(dāng)前的環(huán)境溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)溫,將當(dāng)前測(cè)得的環(huán)境溫度值發(fā)送給數(shù)字處理板;
步驟四、數(shù)字處理板對(duì)步驟一測(cè)得的溫度值和當(dāng)前的環(huán)境溫度值進(jìn)行數(shù)字PID運(yùn)算,得到溫度控制量,將溫度控制量發(fā)送給控溫儀;
步驟五、控溫儀對(duì)步驟四得到的溫度控制量進(jìn)行控溫處理,使CMOS圖像傳感器芯片的殼溫穩(wěn)定在老煉控制溫度±1℃范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于殼溫實(shí)時(shí)反饋的CMOS圖像傳感器老煉方法,其特征在于:所述步驟四中數(shù)字處理板對(duì)步驟一測(cè)得的溫度值和當(dāng)前的環(huán)境溫度值進(jìn)行數(shù)字PID運(yùn)算,得到溫度控制量,將溫度控制量發(fā)送給控溫儀;具體過(guò)程為:
當(dāng)前的環(huán)境溫度值為r(t),步驟一測(cè)得的溫度值為y(t),溫度偏差量e(t)=r(t)-y(t),數(shù)字處理板根據(jù)溫度偏差量計(jì)算溫度控制量u(t),公式為
其中Kp,Ki和Kd均為PID系數(shù),取值為正數(shù);t為時(shí)間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述一種基于殼溫實(shí)時(shí)反饋的CMOS圖像傳感器老煉方法,其特征在于:所述步驟五中控溫儀對(duì)步驟一測(cè)得的溫度值和步驟四得到的溫度控制量進(jìn)行控溫處理,使CMOS圖像傳感器芯片的殼溫穩(wěn)定在老煉控制溫度±1℃范圍內(nèi);具體過(guò)程為:
控溫儀會(huì)根據(jù)溫度控制量進(jìn)行控制,如果溫度控制量為負(fù)值,則啟動(dòng)制冷裝置,進(jìn)行散熱降溫處理,使CMOS圖像傳感器芯片的殼溫穩(wěn)定在老煉控制溫度±1℃范圍內(nèi);
如果溫度控制量為正值,則啟動(dòng)加熱裝置,進(jìn)行加熱處理,使CMOS圖像傳感器芯片的殼溫穩(wěn)定在老煉控制溫度±1℃范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種基于殼溫實(shí)時(shí)反饋的CMOS圖像傳感器老煉方法,其特征在于:所述器件溫度傳感器為高精度溫度傳感器;
所述高精度溫度傳感器的精度為0.1℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種基于殼溫實(shí)時(shí)反饋的CMOS圖像傳感器老煉方法,其特征在于:所述高精度溫度傳感器為NTC溫度傳感器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種基于殼溫實(shí)時(shí)反饋的CMOS圖像傳感器老煉方法,其特征在于:所述控溫儀為TC30-1L控溫儀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述一種基于殼溫實(shí)時(shí)反饋的CMOS圖像傳感器老煉方法,其特征在于:所述數(shù)字處理板采用TMS320F2812為核心處理器。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述一種基于殼溫實(shí)時(shí)反饋的CMOS圖像傳感器老煉方法,其特征在于:所述制冷裝置采用半導(dǎo)體制冷片、風(fēng)扇以及鋁制散熱片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述一種基于殼溫實(shí)時(shí)反饋的CMOS圖像傳感器老煉方法,其特征在于:所述PID系數(shù)1≤Kp≤4000;
所述PID系數(shù)1≤Ki≤4000;
所述PID系數(shù)0≤Kd≤4000。
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