[發明專利]一種通過鍵合材料進行鍵合的方法和鍵合結構有效
| 申請號: | 201810307052.1 | 申請日: | 2018-04-08 |
| 公開(公告)號: | CN110349847B | 公開(公告)日: | 2022-11-04 |
| 發明(設計)人: | 王詩男 | 申請(專利權)人: | 上海新微技術研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/18 | 分類號: | H01L21/18 |
| 代理公司: | 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 劉元霞 |
| 地址: | 201800 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 通過 材料 進行 方法 結構 | ||
1.一種通過鍵合材料進行鍵合的方法,包括:
在第一基板的主面和/或第二基板的主面形成位于鍵合區域的外周的凹部,其中,從所述第一基板或所述第二基板的邊緣開始向所述第一基板或所述第二基板的中心延伸時,所述凹部的高度變化,在所述第一基板的主面和/或所述第二基板的主面的周向的不同位置,所述凹部的寬度是變化的;
在所述第一基板的主面和/或所述第二基板的主面的所述鍵合區域形成鍵合材料;以及
向所述第一基板和所述第二基板施加壓力,使所述第一基板的主面和所述第二基板的主面通過由所述鍵合材料形成的鍵合層而鍵合,
其中,所述鍵合層形成于所述第一基板或所述第二基板中的微細結構的凹部外部。
2.如權利要求1所述的方法,其中,
所述凹部構成為環繞所述鍵合區域的閉合的環狀。
3.如權利要求1所述的方法,其中,
所述凹部形成在所述鍵合區域的外邊緣與所述第一基板和/或所述第二基板的邊緣之間。
4.如權利要求1所述的方法,其中,
所述凹部的底面是由平面和/或曲面構成的圖形。
5.如權利要求1所述的方法,其中,
所述鍵合材料包含具有粘合性能的物質。
6.如權利要求5所述的方法,其中,
所述具有粘合性能的物質是膠。
7.如權利要求1所述的方法,其中,
所述鍵合層為兩種以上物質的共晶材料。
8.如權利要求7所述的方法,其中,
該共晶材料是鋁(Al)和鍺(Ge)、或金(Au)和鍺(Ge)、或金(Au)和錫(Sn)、或金(Au)和硅(Si)、或金(Au)和銦(In)的共晶材料。
9.一種鍵合結構,包括:
第一基板,第二基板和鍵合層,
其中,所述第一基板的主面和所述第二基板的主面通過所述鍵合層鍵合,
所述第一基板的主面和/或所述第二基板的主面形成有位于鍵合區域的外周的凹部,
其中,從所述第一基板或所述第二基板的邊緣開始向所述第一基板或所述第二基板的中心延伸時,所述凹部的高度變化,在所述第一基板的主面和/或所述第二基板的主面的周向的不同位置,所述凹部的寬度是變化的,
所述鍵合層形成于所述第一基板或所述第二基板中的微細結構的凹部外部。
10.如權利要求9所述的鍵合結構,其中,
所述凹部構成為環繞所述鍵合區域的閉合的環狀。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





