[發(fā)明專利]一種連續(xù)進(jìn)行晶界擴(kuò)散和熱處理的裝置以及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810306660.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110106334B | 公開(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王清江;廖宗博;林玉麟;黃長(zhǎng)庚 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 福建省長(zhǎng)汀金龍稀土有限公司 |
| 主分類號(hào): | C21D9/00 | 分類號(hào): | C21D9/00;C21D1/773;H01F41/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 366300 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 連續(xù) 進(jìn)行 擴(kuò)散 熱處理 裝置 以及 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種連續(xù)進(jìn)行晶界擴(kuò)散和熱處理的裝置以及方法,其特征在于:所述合金工件或金屬工件連同擴(kuò)散源設(shè)置在相對(duì)獨(dú)立的處理箱內(nèi),所述裝置包括依序設(shè)置的晶界擴(kuò)散室、第一冷卻室、熱處理室、第二冷卻室、以及設(shè)置在各個(gè)室之間的用以運(yùn)送所述處理箱的運(yùn)送系統(tǒng),所述第一冷卻室和所述第二冷卻室均采用風(fēng)冷系統(tǒng),所述第一冷卻室的冷卻風(fēng)溫度在25℃以上、并與所述晶界擴(kuò)散室的晶界擴(kuò)散溫度至少相差550℃,所述第二冷卻室的冷卻風(fēng)溫度在25℃以上、并與所述熱處理室的熱處理溫度至少相差300℃,所述冷卻室的壓力50kPa?100kPa。本發(fā)明提供的裝置可以提升冷卻速率和生產(chǎn)效率,提高產(chǎn)品一致性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于合金工件或金屬工件的連續(xù)進(jìn)行晶界擴(kuò)散和熱處理的方法。
背景技術(shù)
釹鐵硼稀土永磁材料是目前磁能積最高的工業(yè)量產(chǎn)化磁體,廣泛應(yīng)用在風(fēng)力發(fā)電、伺服電機(jī)、家電壓縮機(jī)和新能源汽車電機(jī)等領(lǐng)域,相比其他磁體,具有體積小和效率高等優(yōu)勢(shì)。
釹鐵硼材料通常需要通過熔煉、破碎、壓制、燒結(jié)、晶界擴(kuò)散等工序,才能得到高性能的磁體。
CN102177271A中記載了一種晶界擴(kuò)散過程中使用的裝置,其使用一種處理箱,處理箱由上面開口的長(zhǎng)方體形狀的箱部和可在開口的箱部上面靈活裝卸的蓋部構(gòu)成。在蓋部的外周邊緣處的整個(gè)周邊上形成朝下彎曲的凸緣。一把蓋部裝到箱部的上面,凸緣即與箱部的外壁配合(在此情況下未設(shè)置金屬密封墊之類的真空密封件),即可隔離出與真空室隔絕的處理室。并且,一通過使真空排氣手段運(yùn)轉(zhuǎn),把真空室減壓到規(guī)定壓力(例如1×10-5Pa),處理室減壓到比真空室高的壓力(例如5×10-4Pa)。在處理箱的箱部?jī)?nèi)以燒結(jié)磁鐵S以及蒸發(fā)材料彼此互不接觸的形態(tài),隔著隔板上下重疊地收容此二者。可見,在現(xiàn)有技術(shù)中,通常需要將燒結(jié)磁鐵(受體)和蒸發(fā)材料(供體)放置在一相對(duì)獨(dú)立的空間內(nèi)。
在經(jīng)過晶界擴(kuò)散之后,由于燒結(jié)磁鐵表面稀土元素相對(duì)富集,需要對(duì)其進(jìn)行熱處理。然而,為了提高熱處理過程的一致性,提高升溫速度和冷卻速度,需要將晶界擴(kuò)散過程中放置在處理箱內(nèi)的燒結(jié)磁鐵取出,而將其放置在一帶有通孔的處理箱中,再對(duì)其進(jìn)行熱處理。在這一過程中,燒結(jié)磁鐵表面富集的稀土元素在由于與空氣的接觸而氧化、黑化,在熱處理之后,需要對(duì)燒結(jié)磁鐵表面進(jìn)行表面清潔處理,才能獲得符合要求的燒結(jié)磁鐵產(chǎn)品。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題,本發(fā)明提供一種連續(xù)進(jìn)行晶界擴(kuò)散和熱處理的裝置,該裝置可以提升冷卻速率和生產(chǎn)效率,提高產(chǎn)品一致性。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
一種連續(xù)進(jìn)行晶界擴(kuò)散和熱處理的裝置,其特征在于:所述合金工件或金屬工件連同擴(kuò)散源設(shè)置在相對(duì)獨(dú)立的處理箱內(nèi),所述裝置包括依序設(shè)置的晶界擴(kuò)散室、第一冷卻室、熱處理室、第二冷卻室、以及設(shè)置在各個(gè)室之間的用以運(yùn)送所述處理箱的運(yùn)送系統(tǒng),所述第一冷卻室和所述第二冷卻室均采用風(fēng)冷系統(tǒng),所述第一冷卻室的冷卻風(fēng)溫度在25℃以上、并與所述晶界擴(kuò)散室的晶界擴(kuò)散溫度至少相差550℃,所述第二冷卻室的冷卻風(fēng)溫度在25℃以上、并與所述熱處理室的熱處理溫度至少相差300℃,所述冷卻室的壓力50kPa-100kPa。
本發(fā)明中,采用單獨(dú)設(shè)置晶界擴(kuò)散室、熱處理室和冷卻室(使用風(fēng)冷系統(tǒng)方式),并將合金工件或金屬工件連同擴(kuò)散源設(shè)置在相對(duì)獨(dú)立的處理箱內(nèi),同時(shí)限定冷卻室的冷卻風(fēng)溫度,在物料熱處理完成后,可根據(jù)需要的冷卻工藝,實(shí)現(xiàn)熱處理后高溫段的較快速均勻冷卻,優(yōu)化合金工件或金屬工件的晶界微觀組織相成分和分布。
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