[發明專利]堆疊式MOSFET電路和操作堆疊式MOSFET電路的方法

有效

• 申請號: 201810305904.3
• 申請日: 2018-04-08
• 公開（公告）號: CN108696109B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 謝永濤;小埃內斯托·Z·卡古伊奧
• 申請（專利權）人: 雅達電子國際有限公司
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華;李欣

1.一種MOSFET電路，包括：

具有柵極、源極和漏極的第一金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET；

與所述第一MOSFET串聯聯接的第二MOSFET，所述第二MOSFET具有柵極、源極和漏極；以及

控制器，所述控制器被配置為向所述第一MOSFET的柵極和所述第二MOSFET的柵極提供相同的控制信號，以在所述第一MOSFET和所述第二MOSFET接通之前在所述第一MOSFET的漏-源電壓和所述第二MOSFET的漏-源電壓基本上為零時接通所述第一MOSFET和所述第二MOSFET，其中，所述第一MOSFET和所述第二MOSFET同時接通。

2.根據權利要求1所述的MOSFET電路，還包括具有電壓軌和基準電位的電源，其中，所述第一MOSFET和所述第二MOSFET聯接在所述電壓軌和所述基準電位之間。

3.根據權利要求2所述的MOSFET電路，其中，所述第一MOSFET和所述第二MOSFET聯接以共享所述電壓軌的電壓，使得每個MOSFET兩端的電壓小于所述電壓軌的電壓。

4.根據權利要求1所述的MOSFET電路，其中，所述第一MOSFET和所述第二MOSFET聯接使得所述第一MOSFET兩端的電壓基本上等于所述第二MOSFET兩端的電壓。

5.根據權利要求1所述的MOSFET電路，還包括：

位于所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之間的節點；以及

聯接在所述第一MOSFET的柵極和所述節點之間的開關。

6.根據權利要求5所述的MOSFET電路，其中，所述開關被所述控制信號控制，以防止所述第一MOSFET在所述控制信號處于邏輯低值時接通。

7.根據權利要求1所述的MOSFET電路，還包括聯接在所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之間的電壓共享電路。

8.根據權利要求7所述的MOSFET電路，其中，所述電壓共享電路包括第一電阻器和與所述第一電阻器串聯聯接的第二電阻器，所述第一電阻器和所述第二電阻器位于所述第一MOSFET的漏極和所述第二MOSFET的源極之間。

9.根據權利要求8所述的MOSFET電路，其中，位于所述第一電阻器和所述第二電阻器之間的節點與位于所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之間的節點聯接。

10.根據權利要求7所述的MOSFET電路，其中，所述電壓共享電路包括第一電容器和與所述第一電容器串聯聯接的第二電容器，所述第一電容器和所述第二電容器位于所述第一MOSFET的漏極和所述第二MOSFET的源極之間。

11.根據權利要求10所述的MOSFET電路，其中，位于所述第一電容器和所述第二電容器之間的節點與位于所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之間的節點聯接。

12.根據權利要求1所述的MOSFET電路，還包括：

聯接在所述控制器和所述第一MOSFET的柵極之間的第一柵極驅動電路，用于從所述控制器接收所述控制信號，并響應于所接收到的控制信號來操作所述第一MOSFET；和

聯接在所述控制器和所述第二MOSFET的柵極之間的第二柵極驅動電路，用于從所述控制器接收所述控制信號，并響應于所接收到的控制信號來操作所述第二MOSFET。

13.根據權利要求1所述的MOSFET電路，還包括具有陰極和陽極的二極管，所述陰極與所述第一MOSFET聯接，所述陽極與所述控制器聯接。