[發(fā)明專利]電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810305860.4
• 申請(qǐng)日: 2018-04-08
• 公開（公告）號(hào): CN108733252B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林載翊;樸源祥;秋惠容;金柱炫;李來應(yīng);黃秉雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司;成均館大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)
• 主分類號(hào): G06F3/041
• 分類號(hào): G06F3/041;G06F3/044;G06F3/045;H03K17/96
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 王慧敏;劉燦強(qiáng)

1.一種電子裝置，所述電子裝置包括：

基體基底，被構(gòu)造為對(duì)應(yīng)于從外部施加的外力地改變平面圖中的面積；以及

傳感器，設(shè)置在所述基體基底上，且被構(gòu)造為感測(cè)從外部施加的觸摸，并且傳感器被構(gòu)造為對(duì)應(yīng)于從外部施加的所述外力地改變所述平面圖中的面積；

其中，所述傳感器包括：第一電極，設(shè)置在所述基體基底上；第二電極，設(shè)置在所述基體基底上，并與所述第一電極形成電場(chǎng)；以及介電層，設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間；

其中，當(dāng)所述基體基底在所述平面圖中的所述面積變化時(shí)，所述介電層的厚度被構(gòu)造為基本上保持相同；

其中，在未施加所述外力的正常模式下，所述基體基底的上表面包括多個(gè)凹陷部分和多個(gè)凸起部分，并且

其中，當(dāng)所述基體基底被水平拉伸時(shí)和當(dāng)所述基體基底不被水平拉伸時(shí)，所述基體基底的上表面面積不改變。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述基體基底和所述傳感器的所述平面圖中的所述面積中的每個(gè)是所述平面圖中的投影面積。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子裝置，其中，所述基體基底具有在所述外力為0MPa的第一模式下在所述平面圖中的第一面積以及在所述外力大于0MPa的第二模式下在所述平面圖中的第二面積。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子裝置，其中，所述介電層在所述第一模式下的上表面面積與所述介電層在所述第二模式下的另一上表面面積基本上相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述基體基底還包括多個(gè)峰間隔和多個(gè)谷間隔，并且

其中，所述基體基底的下表面是平坦的。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述第二電極包括壓阻材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述第一電極和所述第二電極是光學(xué)透明的。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述第一電極和所述第二電極包括彼此不同的材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子裝置，其中，當(dāng)所述基體基底在所述平面圖中的所述面積改變時(shí)，所述第一電極的厚度改變。