[發明專利]一種半導體薄膜及其制備方法在審
| 申請號： | 201810301977.5 | 申請日： | 2018-04-04 |
| 公開（公告）號： | CN108465465A | 公開（公告）日： | 2018-08-31 |
| 發明（設計）人： | 陳夢詩;肖也;張夢龍 | 申請（專利權）人： | 廣東工業大學 |
| 主分類號： | B01J23/30 | 分類號： | B01J23/30;B01J27/135;C01B3/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 張春水;唐京橋 |
| 地址： | 510060 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體薄膜 光子晶體 制備 前驅液 半導體薄膜技術 空穴 制備光子晶體 溶劑熱反應 光生電子 技術缺陷 有效解決 禁帶 配制 摻雜 復合 | ||
1.一種半導體薄膜，其特征在于，包括摻雜鎢的光子晶體的FTO導電玻璃。
2.根據權利要求1所述的半導體薄膜，其特征在于，所述光子晶體包括二氧化錫光子晶體或二氧化硅光子晶體。
3.根據權利要求1所述的半導體薄膜，其特征在于，所述摻雜鎢的光子晶體的FTO導電玻璃具體包括：通過溶液熱反應或化學氣相淀積方法將鎢摻雜在所述光子晶體的FTO導電玻璃的表面。
4.一種半導體薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：制備光子晶體的FTO導電玻璃和配制含鎢前驅液；
步驟2：將所述光子晶體的FTO導電玻璃與所述含鎢前驅液通過溶劑熱反應制得所述半導體薄膜。
5.根據權利要求4所述的半導體薄膜的制備方法，其特征在于，所述光子晶體包括二氧化錫光子晶體或二氧化硅光子晶體。
6.根據權利要求4所述的半導體薄膜的制備方法，其特征在于，所述光子晶體的FTO導電玻璃的制備方法包括：將FTO導電玻璃浸泡在聚苯乙烯溶液后，得到含有聚苯乙烯溶液的FTO導電玻璃；將含有聚苯乙烯溶液的FTO導電玻璃與二氧化錫溶液或二氧化硅溶液混合，經高溫退火處理，得到光子晶體的FTO導電玻璃。
7.根據權利要求4所述的半導體薄膜的制備方法，其特征在于，所述含鎢前驅液包括含鎢化合物的前驅液或/和含鎢酸鹽的前驅液。
8.根據權利要求7所述的半導體薄膜的制備方法，其特征在于，所述含鎢化合物的前驅液包括氯化鎢的前驅液。
9.根據權利要求8所述的半導體薄膜的制備方法，其特征在于，所述氯化鎢的前驅液的制備方法包括：將氯化鎢與醇類溶劑混合制得氯化鎢的前驅液。
10.根據權利要求9所述的半導體薄膜的制備方法，其特征在于，所述氯化鎢的前驅液的氯化鎢濃度為0.0025-0.005g/ml。
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