[發明專利]低壓降穩壓器有效
| 申請號： | 201810299166.6 | 申請日： | 2018-04-04 |
| 公開（公告）號： | CN109613949B | 公開（公告）日： | 2021-12-17 |
| 發明（設計）人： | 楊宗翰;莊家碩 | 申請（專利權）人： | 原睿科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/46 | 分類號： | G05F1/46 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低壓 穩壓器 | ||
1.一種低壓降穩壓器，其特征在于，該低壓降穩壓器包括：
一阻抗單元；
一差分放大器，其電性連接至該阻抗單元；
一電流鏡單元，其電性連接至該差分放大器；以及
一自適應偏壓單元，其電性連接至該差分放大器與該電流鏡單元；
其中，該阻抗單元被電性連接至該差分放大器的一負反饋路徑以使該差分放大器中該負反饋路徑的一增益大于其一正反饋路徑的一增益。
2.如權利要求1所述的低壓降穩壓器，其特征在于，該差分放大器包括：
一第一晶體管，其具有一源極、一漏極、與一柵極；
一第二晶體管，該第二晶體管的一源極被連接至該第一晶體管的該源極；
一第三晶體管，該第三晶體管的一漏極被連接至該第一晶體管的該漏極；以及
一第四晶體管，該第四晶體管的一柵極被連接至該第三晶體管的一柵極與該第四晶體管的一漏極，該第四晶體管的一源極被連接至該阻抗單元，且該第四晶體管的一漏極被連接至該第四晶體管的該柵極與該第二晶體管的一漏極；
其中，該第一晶體管的該源極與該第二晶體管的該源極被連接至一第一偏壓電流。
3.如權利要求2所述的低壓降穩壓器，其特征在于，該電流鏡單元包括：
一第五晶體管，該第五晶體管的一漏極被連接至該第二晶體管的該源極；
一第六晶體管，該第六晶體管的一柵極被連接至該第五晶體管的一柵極以及該第六晶體管的一漏極；以及
一第七晶體管，該第七晶體管的一柵極被連接至該第三晶體管的該漏極，且該第七晶體管的一漏極被連接至該第六晶體管的該漏極。
4.如權利要求3所述的低壓降穩壓器，其特征在于，該自適應偏壓單元包括：
一第八晶體管，該第八晶體管的一柵極被連接至該第八晶體管的一漏極；以及
一第九晶體管，該第九晶體管的一柵極被連接至該第三晶體管的該柵極，且該第九晶體管的一漏極被連接至該第八晶體管的該漏極。
5.如權利要求3所述的低壓降穩壓器，其特征在于，該自適應偏壓單元包括：
一第八晶體管，其具有一源極、一漏極、與一柵極；
一第九晶體管，該第九晶體管的一柵極被連接至該第三晶體管的該柵極，且該第九晶體管的一漏極被連接至該第八晶體管的該漏極；
一第十晶體管，該第十晶體管的一漏極被連接至該第二晶體管的該柵極，且該第十晶體管的一柵極被連接至該第八晶體管的該漏極；以及一第十一晶體管，該第十一晶體管的一柵極被連接至該第三晶體管的該漏極，且該第十一晶體管的一漏極被連接至該第十晶體管的該漏極。
6.如權利要求1所述的低壓降穩壓器，其特征在于，該阻抗單元是一電阻。
7.一種低壓降穩壓器，其特征在于，該低壓降穩壓器包括：
一阻抗單元；
一差分放大器，其電性連接至該阻抗單元；以及
一自適應偏壓單元，其電性連接至該差分放大器；
其中，該阻抗單元被電性連接至該差分放大器的一負反饋路徑以使該差分放大器中該負反饋路徑的一增益大于其一正反饋路徑的一增益。
8.如權利要求7所述的低壓降穩壓器，其特征在于，該差分放大器包括：
一第一晶體管，其具有一源極、一漏極、與一柵極；
一第二晶體管，該第二晶體管的一源極被連接至該第一晶體管的該源極；
一第三晶體管，該第三晶體管的一漏極被連接至該第一晶體管的該漏極；以及
一第四晶體管，該第四晶體管的一柵極被連接至該第三晶體管的一柵極，該第四晶體管的一漏極被連接至該第四晶體管的該柵極，且該第二晶體管的一漏極被連接至該阻抗單元；
其中，該第一晶體管的該源極與該第二晶體管的該源極被連接至一第一偏壓電流。
9.如權利要求8所述的低壓降穩壓器，其特征在于，該自適應偏壓單元包括：
一第七晶體管，該第七晶體管的一柵極被連接至該第三晶體管的該漏極，且該第七晶體管的一漏極被連接至一第二偏壓電流。
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