[發(fā)明專利]基于CsPbX3鈣鈦礦量子點(diǎn)的阻變存儲(chǔ)器及制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810298928.0
• 申請(qǐng)日: 2018-03-30
• 公開（公告）號(hào): CN108447984A
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周曄;王燕;韓素婷;陳錦銳;王展鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，從下至上依次包括：柔性基底、底電極、第一聚合物層、CsPbX₃鈣鈦礦量子點(diǎn)層、第二聚合物層、頂電極，其中，X=Cl、Br或I，所述底電極和所述頂電極中的至少一種為透明電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述透明電極的材料為ITO或AZO。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述底電極和所述頂電極的厚度為20-30nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一聚合物層和所述第二聚合物層采用的材料均為PMMA、PS和PVA中的一種。

5.一種如權(quán)利要求1-4任一所述的阻變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，包括：

步驟A、在柔性基底上制作底電極；

步驟B、在所述底電極上制作第一聚合物層，并退火；

步驟C、在所述第一聚合物層上制作CsPbX₃鈣鈦礦量子點(diǎn)層；

步驟D、在所述CsPbX₃鈣鈦礦量子點(diǎn)層上制作第二聚合物層；

步驟E、在所述第二聚合物層上制作頂電極，得到所述阻變存儲(chǔ)器。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的阻變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，所述步驟B中，退火的條件為：于90-100℃退火1-2h。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的阻變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，所述步驟C中，所述CsPbX₃鈣鈦礦量子點(diǎn)層由CsPbX₃鈣鈦礦量子點(diǎn)組成，所述CsPbX₃鈣鈦礦量子點(diǎn)通過以下制備方法制備得到：

步驟C1、將碳酸銫與十八烯、油酸混合均勻，于140-160℃反應(yīng)，生成油酸銫溶液；

步驟C2、將鹵化鉛和十八烯混合均勻，加熱到110-130℃，依次注入油胺和油酸，混合均勻后加熱到150-170℃；

步驟C3、將步驟C1中所述油酸銫溶液冷卻至95-105℃，然后注入到步驟C2的反應(yīng)液中，反應(yīng)4-8 s后冰水浴8-15 min，再采用乙醇使制備的CsPbX₃鈣鈦礦量子點(diǎn)從溶液中沉淀，然后分離得到CsPbX₃鈣鈦礦量子點(diǎn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的阻變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，所述步驟C1中的碳酸銫與所述步驟C2中的鹵化鉛的摩爾比為5-6:1。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的阻變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，還包括：

步驟C4、采用過濾針頭對(duì)CsPbX₃鈣鈦礦量子點(diǎn)材料進(jìn)行過濾篩選。

10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的阻變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，所述步驟C中，CsPbX₃鈣鈦礦量子點(diǎn)層采用旋涂工藝制作，旋涂的速度為1500-4000 rpm。