[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 201810298848.5 | 申請日: | 2018-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN109148511A | 公開(公告)日: | 2019-01-04 |
| 發明(設計)人: | 房賢圣;金娥瓏;樸正善;李德重;鄭知泳 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開口 像素電極 顯示裝置 中間層 像素限定層 無機層 導電 鄰近 端部延伸 發射層 襯底 凸部 申請 | ||
本申請涉及顯示裝置,該顯示裝置包括:第一像素電極和第二像素電極,設置成在襯底上彼此鄰近;像素限定層,包括對應于第一像素電極的第一開口、對應于第二像素電極的第二開口以及布置成與第一開口鄰近的第一凸部;第一中間層,設置在第一像素電極上以與第一開口對應,并且包括第一發射層;以及第一導電無機層,布置在第一中間層上以對應于第一開口。第一導電無機層的至少一個端部延伸超過第一中間層的端部,并且在第一開口和第二開口之間設置于像素限定層上。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2017年6月19日提交的第10-2017-0077584號韓國專利申請的優先權和權益,該韓國專利申請出于所有目的通過引用并入本文,如其本文中充分闡述一樣。
技術領域
示例性實施方式涉及顯示裝置。
背景技術
有機發光顯示裝置是包括像素的顯示裝置,每個像素包括有機發光二極管(OLED)。OLED可包括像素電極、面對像素電極的對電極以及位于像素電極和對電極之間的發射層。
在能夠顯示全色圖像的有機發光顯示裝置中,具有不同顏色的光可從像素區域發射,并且每個像素的發射層以及在多個像素上方設置為公共體(或層)的對電極可使用沉積掩模形成。由于有機發光顯示裝置的分辨率變得更高,所以在沉積過程期間使用的沉積掩模的敞開縫隙的寬度已經變得更窄,并且需要進一步減小敞開縫隙之間的間隔。此外,為了制造具有甚至更高分辨率的有機發光顯示裝置,必須減少或消除陰影效應。因此,可使用利用緊密接觸的襯底和掩模來執行沉積過程的方法。
然而,當利用緊密接觸的襯底和掩模進行沉積過程時,掩模可能損壞像素限定層。為了防止這個問題,可在像素限定層上布置間隔件。然而,為此,需要添加另一過程,并且間隔件可能增加有機發光顯示裝置的厚度。
在該背景技術部分中公開的以上信息僅用于增強對本發明構思的背景的理解,并且因此,其可包括不構成在本國中對于本領域普通技術人員已經知曉的現有技術的信息。
發明內容
示例性實施方式提供了這樣的顯示裝置,其能夠在通過剝離工藝形成包括發射層的中間層時,防止設置在中間層上的導電無機層的端部不充分地沉積或者從像素限定層分離。所得的顯示裝置能夠改善顯示質量,而不會以非均勻的方式在像素之間發射光。
其他方面將在隨后的詳細說明中闡述,并且根據本公開將部分地顯而易見,或者可通過實踐本發明構思而習得。
根據示例性實施方式,顯示裝置包括:第一像素電極和第二像素電極,設置成在襯底上彼此鄰近;像素限定層,包括對應于第一像素電極的第一開口、對應于第二像素電極的第二開口以及設置成與第一開口鄰近的第一凸部;第一中間層,設置在第一像素電極上且布置成與第一開口對應,并且包括第一發射層;以及第一導電無機層,設置在第一中間層上且布置成對應于第一開口。第一導電無機層的至少一個端部延伸超過第一中間層的端部,并且在第一開口和第二開口之間設置于像素限定層上。
第一凸部可包括指向第一開口的第一側表面以及與第一側表面相對的第二側表面,以及第一凸部的頂點可布置于第一側表面和第二側表面之間。
第一導電無機層的至少一個端部可超過第一凸部的頂點在第二側表面上方延伸。
第一中間層的端部可超過第一凸部的頂點在第二側表面上方延伸。
第二側表面和襯底的主表面之間的角度可小于90°。
第一導電無機層的至少一個端部可直接接觸像素限定層。
第一導電無機層的至少一個端部可延伸超過第一中間層的端部0.5μm或更多。
第一導電無機層可包括包含銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鐿(Yb)、鈣(Ca)、鋰(Li)、金(Au)或其化合物的金屬層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





