[發(fā)明專利]基板清洗裝置、基板清洗方法以及基板清洗裝置的控制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810298844.7 | 申請日: | 2018-04-04 |
| 公開(公告)號: | CN108695210B | 公開(公告)日: | 2023-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蓑島大介;今井正芳 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社荏原制作所 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海華誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300 | 代理人: | 張麗穎 |
| 地址: | 日本國東京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 清洗 裝置 方法 以及 控制 | ||
1.一種基板清洗裝置,其特征在于,具備:
基板保持旋轉(zhuǎn)部,該基板保持旋轉(zhuǎn)部保持基板并使該基板旋轉(zhuǎn);
長條狀的清洗部件,該長條狀的清洗部件與旋轉(zhuǎn)的所述基板接觸而清洗所述基板;以及
第一噴嘴和第二噴嘴,該第一噴嘴和該第二噴嘴相對于所述清洗部件的長度方向配置于同一側(cè),
與所述第二噴嘴相比,所述第一噴嘴更有力地向第一區(qū)域供給液體,該第一區(qū)域位于所述基板中的所述清洗部件的所述第一噴嘴側(cè),
所述第二噴嘴向第二區(qū)域供給液體,該第二區(qū)域位于所述基板中的所述清洗部件的所述第二噴嘴側(cè),且比包括至少基板的周緣部外側(cè)的區(qū)域的所述第一區(qū)域?qū)挕?/p>
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述第一噴嘴是單管噴嘴,所述第二噴嘴是噴射型噴嘴。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述清洗部件是輥式的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述第一區(qū)域位于所述基板的中心附近,
所述第二區(qū)域的一端的至少一部分與所述第一區(qū)域的至少一部分重疊,所述第二區(qū)域的另一端延伸到所述基板的邊緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述第二區(qū)域的長度方向與所述清洗部件的長度方向不平行,越靠近所述基板的邊緣,所述第二區(qū)域越遠離所述清洗部件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域位于旋轉(zhuǎn)的所述基板與所述清洗部件接觸之后的區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板清洗裝置,其特征在于,
來自所述第二噴嘴的液體供給方向不與所述基板的旋轉(zhuǎn)方向相反。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板清洗裝置,其特征在于,
來自所述第二噴嘴的液體供給方向與所述清洗部件和所述基板接觸的位置處的所述清洗部件的旋轉(zhuǎn)方向一致。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述第一噴嘴經(jīng)由配件與從液體供給源起的配管連接,
所述配件中的供液體流通的孔的直徑比所述配管的直徑小。
10.一種基板清洗方法,其特征在于,包括:
保持基板并使該基板旋轉(zhuǎn);
使長條狀的清洗部件與所述基板接觸而清洗所述基板;以及
從第一噴嘴向所述基板中的第一區(qū)域供給液體,且從第二噴嘴向所述基板中的第二區(qū)域供給液體,
所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域相對于所述清洗部件的長度方向位于同一側(cè),
所述第二區(qū)域比所述第一區(qū)域?qū)挘?/p>
與所述第二噴嘴相比,所述第一噴嘴更有力地供給液體。
11.一種基板清洗裝置的控制方法,其特征在于,包括:
保持基板并使該基板旋轉(zhuǎn);
使長條狀的清洗部件與所述基板接觸而清洗所述基板;以及
從第一噴嘴向所述基板中的第一區(qū)域供給液體,且從第二噴嘴向所述基板中的第二區(qū)域供給液體,
所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域相對于所述清洗部件的長度方向位于同一側(cè),
所述第二區(qū)域比所述第一區(qū)域?qū)挘?/p>
與所述第二噴嘴相比,所述第一噴嘴更有力地供給液體。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社荏原制作所,未經(jīng)株式會社荏原制作所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810298844.7/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





