[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201810297141.2
• 申請日: 2018-03-30
• 公開（公告）號: CN108695250A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 北島裕一郎
• 申請（專利權）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L23/62
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 鄧毅;劉暢

1.一種半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置具有：

半導體襯底；以及

熔斷元件，其配置于所述半導體襯底上形成的層間絕緣膜上，

所述熔斷元件由多晶硅和設置在所述多晶硅的上表面的硅化物形成，俯視觀察時，所述多晶硅的被包含在激光照射的范圍內的區域為未導入雜質的非摻雜多晶硅。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

對于形成所述熔斷元件的所述多晶硅，與所述非摻雜多晶硅的區域相鄰地具有導入了雜質的摻雜多晶硅的區域。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述激光將所述硅化物切斷。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

俯視觀察時，在所述激光照射的范圍內，所述非摻雜多晶硅的區域比所述硅化物的區域大。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述非摻雜多晶硅的區域的膜厚比所述硅化物厚。

6.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述激光將所述硅化物切斷。

7.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

俯視觀察時，在所述激光照射的范圍內，所述非摻雜多晶硅的區域比所述硅化物的區域大。

8.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述非摻雜多晶硅的區域的膜厚比所述硅化物厚。

9.一種半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置具有：

半導體襯底；以及

熔斷元件，其配置于所述半導體襯底上形成的層間絕緣膜上，

所述熔斷元件包含：

非摻雜多晶硅的區域，在該非摻雜多晶硅中未導入雜質；

摻雜多晶硅的區域，該摻雜多晶硅的區域設置在所述非摻雜多晶硅的區域的兩端；以及

硅化物，其設置在所述非摻雜多晶硅的區域以及在所述兩端設置的摻雜多晶硅的區域的上表面，

通過激光的照射，將設置于所述非摻雜多晶硅的區域的上表面的硅化物切斷。