[發(fā)明專利]形成半導(dǎo)體裝置的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810296498.9 | 申請日： | 2018-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN109817583A | 公開（公告）日： | 2019-05-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 許劭銘;李振銘;楊復(fù)凱;王美勻 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 張福根;馮志云 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 源極/漏極 柵極結(jié)構(gòu) 掩模層 半導(dǎo)體裝置 基板 蝕刻劑蝕刻 蝕刻介電層 含氧原子 介電層 側(cè)壁 硅鍺 移除 開口 | ||
1.一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，包括：
提供一結(jié)構(gòu)，其包括：
一基板；
一第一柵極結(jié)構(gòu)與一第二柵極結(jié)構(gòu)，位于該基板上；
一第一源極/漏極結(jié)構(gòu)，包括硅并與該第一柵極結(jié)構(gòu)相鄰；
一第二源極/漏極結(jié)構(gòu)，包括硅鍺并與該第二柵極結(jié)構(gòu)相鄰；以及
一或多個介電層，位于該第一柵極結(jié)構(gòu)與該第二柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上，并位于該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)與該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)上；
蝕刻該或該些介電層，形成多個開口以露出該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)與該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)；
形成一掩模層于該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)上；
在該掩模層位于該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)上時，注入鎵至該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)；
移除該掩模層；以及
以一含氧原子的蝕刻劑蝕刻該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)與該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
