[發明專利]半導體結構的制造方法

有效

• 申請號: 201810296034.8
• 申請日: 2018-04-04
• 公開（公告）號: CN109841504B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 施信益
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 浦彩華;姚開麗

1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包含：

在基板上依序形成目標層、底部硬遮罩層、中間硬遮罩層以及頂部硬遮罩層，其中：

所述頂部硬遮罩層的蝕刻選擇性大于所述中間硬遮罩層，所述中間硬遮罩層的蝕刻選擇性大于所述底部硬遮罩層；

所述中間硬遮罩層的蝕刻選擇性大于所述頂部硬遮罩層，所述頂部硬遮罩層的蝕刻選擇性大于所述底部硬遮罩層；或者

所述底部硬遮罩層的蝕刻選擇性大于所述頂部硬遮罩層，所述頂部硬遮罩層的蝕刻選擇性大于所述中間硬遮罩層；

在所述頂部硬遮罩層上形成第一遮罩層，其中所述第一遮罩層具有多個開口暴露所述頂部硬遮罩層的一部分；

蝕刻所述頂部硬遮罩層的所述暴露部分以形成圖案化頂部硬遮罩層，其中所述圖案化頂部硬遮罩層具有多個孔隙暴露出所述中間硬遮罩層的一部分；

在所述中間硬遮罩層的所述暴露部分上形成圖案化有機層；以及

通過執行蝕刻工藝形成圖案化目標層，所述蝕刻工藝包含蝕刻整個所述圖案化頂部硬遮罩層、整個所述圖案化有機層、整個所述中間硬遮罩層、整個所述底部硬遮罩層以及所述目標層的一部分以形成所述圖案化目標層，其中所述圖案化有機層的一厚度為所述圖案化頂部硬遮罩層的一厚度的100%-300%，以及所述圖案化目標層具有多個凹槽。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述圖案化頂部硬遮罩層具有多個第一條狀結構，所述圖案化有機層具有多個第二條狀結構，所述多個第二條狀結構與所述多個第一條狀結構平行，并且所述多個第二條狀結構的每一個設置在所述多個第一條狀結構之間。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述頂部硬遮罩層及所述中間硬遮罩層是由不同的材料組成。

4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述頂部硬遮罩層包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或碳化硅。

5.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述中間硬遮罩層包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或碳化硅。

6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述中間硬遮罩層及所述底部硬遮罩層是由不同的材料組成。

7.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述底部硬遮罩層包含無定形碳或多晶硅氧化物。

8.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，蝕刻所述頂部硬遮罩層的所述暴露部分包含使用非等向性蝕刻工藝。

9.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，蝕刻整個所述圖案化頂部硬遮罩層、整個所述圖案化有機層、整個所述中間硬遮罩層、整個所述底部硬遮罩層以及所述目標層的一部分包含使用非等向性蝕刻工藝。

10.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述圖案化有機層在所述中間硬遮罩層的所述暴露部分上包含：

形成有機層覆蓋所述圖案化頂部硬遮罩層及所述中間硬遮罩層的所述暴露部分；

在所述有機層上形成第二遮罩層；以及

蝕刻所述有機層以形成所述圖案化有機層。

11.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述圖案化有機層具有多個缺口暴露出所述圖案化頂部硬遮罩層及所述中間硬遮罩層的一部分。

12.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述頂部硬遮罩層的厚度大于所述中間硬遮罩層的厚度。