[發明專利]透光性SiC的制造方法有效
| 申請號： | 201810294548.X | 申請日： | 2018-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN110318037B | 公開（公告）日： | 2021-06-22 |
| 發明（設計）人： | 韓明旭;涂溶;章嵩;后藤孝 | 申請（專利權）人： | 揖斐電株式會社;武漢理工大學;后藤孝 |
| 主分類號： | C23C16/32 | 分類號： | C23C16/32;C23C16/48 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 龐東成;孟偉青 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 透光 sic 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種透光性SiC的制造方法，其是對放入到CVD爐內的基材進行加熱的同時向爐內導入原料氣體而使CVD-SiC在所述基材的表面生長的透光性SiC的制造方法，其中所述原料氣體為硅烷系氣體與烴氣體的混合氣體，其中，
所述基材的加熱使用激光的光能，并且
所述原料氣體的C/Si比為0.125～0.5，
所述基材的表面溫度為1473～1673K。
2.如權利要求1所述的透光性SiC的制造方法，其中，所述光能的波長為200nm～20000nm。
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
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C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
