[發(fā)明專利]陣列基板及陣列基板的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810294128.1
• 申請日: 2018-03-30
• 公開（公告）號: CN108538856B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曹武
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

器件層以及設(shè)置于所述器件層上的覆蓋層，所述覆蓋層包括至少一通孔，所述通孔至少兩不同側(cè)壁相對于參考水平面形成的傾斜角不同；

所述覆蓋層上形成有像素電極，所述覆蓋層的所述電極通過所述通孔連接所述器件層中的源極或漏極；

其中，所述通孔至少兩側(cè)壁與參考水平面形成的傾斜角至少分別為第一傾斜角和第二傾斜角，所述第一傾斜角大于所述第二傾斜角，所述第一傾斜角對應(yīng)的所述通孔側(cè)壁為所述像素電極從所述通孔爬出的側(cè)壁，所述第二傾斜角為所述通孔剩余至少一個側(cè)壁的傾斜角；所述第一傾斜角和所述第二傾斜角的角度差大于等于10°，所述第一傾斜角和所述第二傾斜角的角度范圍為30°～80°；

其中，所述覆蓋層包括條狀色阻層以及所述條狀色阻層上的第二鈍化層，所述通孔貫穿所述條狀色阻層及所述第二鈍化層；或，

所述覆蓋層包括島狀色阻層及設(shè)置于所述島狀色阻層上的平坦化層，所述通孔貫穿所述平坦化層；

其中，所述第二傾斜角對應(yīng)的通孔側(cè)壁外與通孔側(cè)壁內(nèi)均設(shè)置有與所述像素電極同層的電極。

2.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

形成器件層；

在所述器件層上設(shè)置覆蓋層，并在所述覆蓋層 上形成至少一個通孔，其中，所述通孔至少兩不同側(cè)壁相對于參考水平面形成的傾斜角不同；

在所述覆蓋層上形成像素電極，通過所述通孔連接所述像素電極以及所述器件層中的源極或漏極；

其中，所述通孔至少兩側(cè)壁與參考水平面形成的傾斜角至少分別為第一傾斜角和第二傾斜角，所述第一傾斜角大于所述第二傾斜角，所述第一傾斜角對應(yīng)的所述通孔側(cè)壁為所述像素電極從所述通孔爬出的側(cè)壁，所述第二傾斜角為所述通孔剩余至少一個側(cè)壁的傾斜角；所述第一傾斜角和所述第二傾斜角的角度差大于等于10°，所述第一傾斜角和所述第二傾斜角的角度范圍為30°～80°；

其中，所述覆蓋層包括條狀色阻層以及所述條狀色阻層上的第二鈍化層，所述通孔貫穿所述條狀色阻層及所述第二鈍化層；或，

所述覆蓋層包括島狀色阻層及設(shè)置于所述島狀色阻層上的平坦化層，所述通孔貫穿所述平坦化層；

其中，所述第二傾斜角對應(yīng)的通孔側(cè)壁外與通孔側(cè)壁內(nèi)均設(shè)置有與所述像素電極同層的電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述陣列基板的制作方法，其特征在于，

所述在所述器件層上設(shè)置覆蓋層，并在所述覆蓋層上形成至少一個通孔的步驟還包括：

在所述器件層上設(shè)置覆蓋層；

通過一道半灰階光罩對所述覆蓋層進(jìn)行曝光，在所述覆蓋層形成至少一個至少兩不同側(cè)壁相對于參考水平面形成不同傾斜角的通孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，

所述在所述器件層上設(shè)置覆蓋層，并在所述覆蓋層上形成至少一個通孔的步驟還包括：

在所述器件層上設(shè)置覆蓋層；

通過帶有狹縫的光罩開口對所述覆蓋層進(jìn)行曝光，在所述覆蓋層形成至少一個至少兩不同側(cè)壁相對于參考水平面形成不同傾斜角的通孔。