[發明專利]一種濾藍光增透膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201810294083.8
• 申請日: 2018-04-04
• 公開（公告）號: CN108717212B
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發明（設計）人: 鄭清洪;陳禮輝;黃六蓮;歐陽新華;黃瑾
• 申請（專利權）人: 福建農林大學
• 主分類號: G02B1/115
• 分類號: G02B1/115;G02B5/20;C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 福州智理專利代理有限公司 35208
• 代理人: 王義星

1.一種濾藍光增透膜，其特征在于所述濾藍光增透膜為不同吸收邊波長λ的濾藍光增透膜；所述濾藍光增透膜的吸收邊波長λ的值為400-500nm，濾藍光增透膜對300~（λ-15）nm波段范圍的藍光的平均吸收率大于99%，而對（λ+15）~780nm波段范圍的可見光的平均透射率大于95%；所述濾藍光增透膜從基材（1）的內面到外依次設有第一層Cd_xZn_1-xO膜層（2）、第二層Al₂O₃膜層（3）、第三層Cd_xZn_1-xO膜層（4）、第四層Al₂O₃膜層（5）；所述第一層Cd_xZn_1-xO膜層（2）和第三層Cd_xZn_1-xO膜層（4）中的Cd組分x值為0.1-0.3，對應濾藍光增透膜的吸收邊波長λ的值為400-500nm；所述濾藍光增透膜由下述方法制備的：1）根據濾藍光增透膜預期吸收邊波長λ確定第一層Cd_xZn_1-xO薄膜（2）和第三層Cd_xZn_1-xO膜層（4）中的Cd組分x值；2）通過薄膜光學的基本知識和分析方法，結合軟件進行優化，使濾藍光增透膜在（λ+15）~780nm波段范圍內的平均透射率大于95%，模擬計算得到第一層Cd_xZn_1-xO膜層（2）的厚度h₁、第二層Al₂O₃膜層（3）的厚度h₂、第三層Cd_xZn_1-xO膜層（4）的厚度h₃及第四層Al₂O₃膜層（5）的厚度h₄；3）采用雙靶反應磁控共濺射方法在透明基材（1）上生長出第一層Cd_xZn_1-xO薄膜（2），厚度h₁為15-25nm；4）采用磁控濺射方法在第一層Cd_xZn_1-xO薄膜（2）上面生長第二層Al₂O₃薄膜（3），厚度h₂為30-50nm；5）采用雙靶反應磁控共濺射方法在第二層Al₂O₃薄膜（3）上生長第三層Cd_xZn_1-xO薄膜（4），厚度h₃為65-95nm；6）采用磁控濺射方法在第三層Cd_xZn_1-xO薄膜（4）上面生長第四層Al₂O₃薄膜（5），厚度h₄為80-100nm；最終制備獲得濾藍光增透膜。

2.如權利要求1所述的一種濾藍光增透膜，其特征在于所述的基材（1）為PET膜、熱塑性聚酯、玻璃、石英或藍寶石。

3.如權利要求1所述的一種濾藍光增透膜，其特征在于所述生長的第一層Cd_xZn_1-xO薄膜和生長的第三層Cd_xZn_1-xO薄膜（4）的雙靶反應磁控共濺射方法為以Zn和Cd金屬靶為濺射靶材，兩個靶同時濺射生長Cd_xZn_1-xO薄膜，將真空室的壓強抽到小于5×10^-4Pa，通入流量為10-50sccm的氬氣和流量為5-15sccm的氧氣，調節真空室壓強穩定在0.1-2Pa，Zn靶施加射頻功率P₁的值為100W，Cd靶施加射頻功率P₂的值為20-50W，通過調節Cd靶施加射頻功率P₂的值控制Cd_xZn_1-xO薄膜的Cd組分x值，利用膜厚儀監控Cd_xZn_1-xO薄膜的厚度。