[發明專利]襯底處理方法及設備

在審

• 申請號: 201810293272.3
• 申請日: 2018-04-03
• 公開（公告）號: CN110176391A
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發明（設計）人: 中野昭典;野沢俊久;中野竜
• 申請（專利權）人: ASM知識產權私人控股有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/67
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

1.一種襯底處理方法，其特征在于，包括：

將等離子體施加于包含圖案結構的襯底上；

通過在等離子體氛圍下獨立地供應第一修整氣體以及第二修整氣體來對所述圖案結構進行修整；以及

在修整所述圖案結構之后，在所述圖案結構的側表面以及上表面上形成薄膜層，

其中，在所述圖案結構的所述修整期間，所述第一修整氣體通過氣體供應單元的中心進氣口供應，以及所述第二修整氣體通過與所述氣體供應單元的所述中心進氣口間隔開的額外進氣口供應。

2.根據權利要求1所述的襯底處理方法，其中在所述圖案結構的所述修整中，使用所述第二修整氣體調整所述圖案結構在外圍部分處的修整量。

3.根據權利要求1所述的襯底處理方法，其中形成所述薄膜層包括：

供應源氣體；以及

供應反應氣體，

其中所述源氣體以及所述反應氣體中的至少一個通過所述中心進氣口以及所述額外進氣口供應。

4.根據權利要求3所述的襯底處理方法，其中安置于所述襯底的外圍部分上的所述薄膜層的一部分的厚度通過使用通過所述額外進氣口供應的所述源氣體以及所述反應氣體中的至少一個來調整。

5.根據權利要求1所述的襯底處理方法，其中所述第一修整氣體以及所述第二修整氣體中的每一個包含稀釋氣體以及氧化劑氣體中的至少一個。

6.根據權利要求5所述的襯底處理方法，其中，在所述圖案結構的所述修整中，所述圖案結構的外圍部分的修整量取決于包含所述稀釋氣體或所述氧化劑氣體的種類、濃度以及流動速率的要素中的至少一個。

7.根據權利要求5所述的襯底處理方法，其中，在所述圖案結構的所述修整中，所述圖案結構的外圍部分的修整量取決于所述氧化劑氣體與所述稀釋氣體之間的流動速率比。

8.根據權利要求5所述的襯底處理方法，其中所述襯底的邊緣部分處的所述圖案結構的一部分由流經布置于所述中心進氣口周圍的所述額外進氣口的氧化劑氣體修整。

9.根據權利要求1所述的襯底處理方法，其中所述襯底的邊緣部分上的所述薄膜層的一部分由流經布置于所述中心進氣口周圍的所述額外進氣口的氣體形成。

10.根據權利要求1所述的襯底處理方法，其中所述額外進氣口包含第一額外進氣口以及第二額外進氣口。

11.根據權利要求10所述的襯底處理方法，其中氧化劑氣體通過所述第一額外進氣口供應以及稀釋氣體通過所述第二額外進氣口供應。

12.一種襯底處理方法，其特征在于，包括：

將等離子體施加于襯底上，第一圖案結構以及包圍所述第一圖案結構的第二圖案結構形成于所述襯底上；

通過在等離子體氛圍下供應第一修整氣體而對所述第一圖案結構以及所述第二圖案結構進行修整；

使用所述第一圖案結構以及所述第二圖案結構的所述修整在所述第一圖案結構以及所述第二圖案結構上原位形成薄膜層；

通過蝕刻所述薄膜層而暴露所述第一圖案結構的上表面以及所述第二圖案結構的上表面；以及

通過將所述薄膜層用作掩模而執行圖案化工藝，

其中，在所述第一圖案結構以及所述第二圖案結構的所述修整中，所述第二圖案結構的修整量通過獨立地供應除所述第一修整氣體外的第二修整氣體而控制。

13.根據權利要求12所述的襯底處理方法，其中，在所述第一圖案結構以及所述第二圖案結構的所述修整中，所述第二圖案結構的修整量與所述第一圖案結構的修整量之間的比率為0.5到1.5。