[發明專利]基板的脫離方法和基板的脫離裝置在審
| 申請號: | 201810291920.1 | 申請日: | 2018-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN108807220A | 公開(公告)日: | 2018-11-13 |
| 發明(設計)人: | 村山聰洋;森伸一郎 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓 基板 脫離 減壓狀態 脫離裝置 吸附保持 限制構件 扁平面 破損 供給氣體 上方移動 按壓力 不均勻 流通孔 流路 噴出 延遲 變形 損傷 殘留 | ||
1.一種基板的脫離方法,其是使基板從吸附保持所述基板的保持臺脫離的基板的脫離方法,其特征在于,
該基板的脫離方法具備:
接近過程,在該接近過程中,使具有扁平面且用于限制所述基板的限制構件與所述基板接近或抵接,使所述基板與所述扁平面之間的距離維持在預先設定好的預定值;
氣體供給過程,在該氣體供給過程中,在所述限制構件與所述基板接近或抵接后的狀態下,向所述基板與所述保持臺之間供給氣體,以使所述保持臺的保持力降低;以及
脫離過程,在該脫離過程中,使所述基板從所述保持臺脫離。
2.根據權利要求1所述的基板的脫離方法,其特征在于,
所述脫離過程是通過在所述限制構件保持著所述基板的狀態下使所述限制構件與所述基板一起從所述保持臺脫離來執行的。
3.根據權利要求1或2所述的基板的脫離方法,其特征在于,
所述預定值是0.5mm以下。
4.一種基板的脫離裝置,其特征在于,
該基板的脫離裝置具備:
保持臺,其用于載置并保持基板;
吸附機構,其設置于所述保持臺,用于使所述基板吸附保持于所述保持臺;
限制構件,其具有扁平面,用于限制所述基板;
接近機構,其能夠進行控制,使所述限制構件與所述基板接近或抵接,使所述扁平面與所述基板之間的距離維持在預先設定好的預定值;以及
氣體供給部件,其在所述限制構件與所述基板接近或抵接的狀態下向所述保持臺與所述基板之間供給氣體,以使所述保持臺的保持力降低。
5.根據權利要求4所述的基板的脫離裝置,其特征在于,
該基板的脫離裝置具備保持機構,該保持機構設置于所述限制構件,用于使所述基板保持于所述限制構件,
所述限制構件保持所述基板的同時從保持力降低后的所述保持臺脫離,從而使所述基板從所述保持臺脫離。
6.根據權利要求4或5所述的基板的脫離裝置,其特征在于,
所述扁平面比所述基板寬,
所述接近機構以所述扁平面與所述基板正對的方式使所述限制構件與所述基板接近或抵接。
7.根據權利要求4或5所述的基板的脫離裝置,其特征在于,
所述保持臺具有保持環框的框架保持部,
該基板的脫離裝置具備粘貼機構,該粘貼機構用于跨保持于所述保持臺的所述環框和所述基板地粘貼粘合帶而制作安裝框。
8.根據權利要求4或5所述的基板的脫離裝置,其特征在于,
所述預定值是0.5mm以下。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





