[發(fā)明專利]一種非易失性內(nèi)存的異常掉電數(shù)據(jù)保護方法及裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810290333.0
• 申請日: 2018-04-03
• 公開（公告）號: CN108491058A
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發(fā)明（設計）人: 周亮
• 申請（專利權(quán)）人: 鄭州云海信息技術(shù)有限公司
• 主分類號: G06F1/30
• 分類號: G06F1/30;G06F3/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請?zhí)峁┮环N非易失性內(nèi)存的異常掉電數(shù)據(jù)保護方法及裝置，所述方法包括：檢測PSU的電源信號是否發(fā)生異常；當檢測到PSU的電源信號發(fā)生異常時，切換BBU進行供電，同時發(fā)送關(guān)機前配置指令；當檢測到關(guān)機前配置完成時，發(fā)送關(guān)閉其他電源單元下電指令，并發(fā)送將緩存數(shù)據(jù)存入非易失內(nèi)存的指令；本申請在非易失內(nèi)存的基礎上增加了電池備份單元，能夠確保在異常掉電情況下將緩存數(shù)據(jù)及時存入非易失內(nèi)存從而防止數(shù)據(jù)丟失，填補了國內(nèi)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的空白，同時也未加入超級電容對板卡空間以及內(nèi)存密度產(chǎn)生影響。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及計算機存儲技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種非易失性內(nèi)存的異常掉電數(shù)據(jù)保護方法及裝置。

背景技術(shù)

非易失內(nèi)存是目前服務器設計探索的新方向之一，有別于常規(guī)的DDR DRAM，非易失內(nèi)存掉電后數(shù)據(jù)可以完整保存在內(nèi)存中。目前的非易失內(nèi)存多使用Flash作為存儲介質(zhì)，由于Flash的讀寫速度較內(nèi)存控制器響應速度慢很多，一般會在內(nèi)存控制器和非易失內(nèi)存之間加入一級緩存用來緩解二者速度上的差異，數(shù)據(jù)通過緩存在內(nèi)存控制器和非易失內(nèi)存之間進行交互，這么做既具有數(shù)據(jù)非易失性，又能兼顧數(shù)據(jù)讀寫的性能。由于緩存不具有非易失性，這種設計只能做到正常關(guān)機下的數(shù)據(jù)非易失，一旦發(fā)生異常掉電，緩存中的數(shù)據(jù)來不及存入非易失內(nèi)存就會丟失，因此在設計時，考慮異常掉電情況下緩存數(shù)據(jù)不丟失，且有時間存入非易失內(nèi)存就顯得非常重要。

在X86領(lǐng)域，現(xiàn)有技術(shù)方案主要被國外廠商壟斷，使用國外廠商的非易失內(nèi)存條外加超級電容的方案，當異常掉電發(fā)生時，外部超級電容開始為非易失內(nèi)存條，可實現(xiàn)掉電數(shù)據(jù)保護，但國內(nèi)技術(shù)尚處于空白。此外，使用非易失內(nèi)存條外加超級電容方案，目前也處于驗證階段，由于超級電容電量有限，一般來說一條非易失內(nèi)存需要搭配一個超級電容，這在一定程度上犧牲了板卡有限的空間，對板上內(nèi)存的密度有很大的限制，結(jié)構(gòu)設計也會面臨很大的挑戰(zhàn)。

因此，如何能夠在異常掉電情況下將緩存數(shù)據(jù)及時存入非易失內(nèi)存，是目前亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種非易失性內(nèi)存的異常掉電數(shù)據(jù)保護方法及裝置，能夠確保在異常掉電情況下將緩存數(shù)據(jù)及時存入非易失內(nèi)存從而防止數(shù)據(jù)丟失。

第一方面，提供非易失性內(nèi)存的異常掉電數(shù)據(jù)保護方法，包括：

檢測PSU的電源信號是否發(fā)生異常；

當檢測到PSU的電源信號發(fā)生異常時，切換BBU進行供電，同時發(fā)送關(guān)機前配置指令；

當檢測到關(guān)機前配置完成時，發(fā)送關(guān)閉其他電源單元下電指令，并發(fā)送將緩存數(shù)據(jù)存入非易失內(nèi)存的指令。

結(jié)合第一方面，在第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式中，

所述檢測PSU的電源信號是否發(fā)生異常，包括：

檢測PSU輸出電壓；

當檢測到PSU輸出電壓小于某一閾值時，輸出異常掉電標志位，并通知可編程邏輯控制單元PSU發(fā)生異常掉電。

結(jié)合第一方面，在第一方面的第二種可能的實現(xiàn)方式中，所述非易失性內(nèi)存的異常掉電數(shù)據(jù)保護方法，具體包括：

檢測PSU的輸出電壓；

當檢測到PSU輸出電壓小于某一閾值時，電源監(jiān)控單元發(fā)出異常掉電標志位，并通知可編程邏輯控制單元PSU發(fā)生異常掉電；

可編程邏輯器件收到異常掉電標志位后，立即控制BBU電源開始供電，并通知PCH開始控制系統(tǒng)執(zhí)行關(guān)機前配置流程；

檢測關(guān)機前配置完成標志；

當檢測到關(guān)機前配置完成標志，PCH控制操作系統(tǒng)完成關(guān)機前配置流程，可編程邏輯控制單元控制其他電源供電單元下電，并通知非易失內(nèi)存控制器開始存儲緩存數(shù)據(jù)，將緩存數(shù)據(jù)存入非易失內(nèi)存；