[發(fā)明專利]像素界定層和顯示面板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810286623.8 | 申請日: | 2018-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN108281476A | 公開(公告)日: | 2018-07-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 侯文軍 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陳俊;陳嵐 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示區(qū)域 像素界定層 顯示面板 非顯示區(qū)域 顯示裝置 制作 像素單元 虛設像素 外圍 | ||
公開了一種像素界定層,包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域,其中所述顯示區(qū)域包括像素單元,并且所述非顯示區(qū)域包括布置在所述顯示區(qū)域的一個或多個角的外側(cè)的虛設像素單元。還公開了顯示面板、顯示裝置、像素界定層的制作方法以及顯示面板的制作方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,并且具體涉及一種像素界定層、顯示面板、顯示裝置、像素界定層的制作方法以及顯示面板的制作方法。
背景技術(shù)
有機電致發(fā)光顯示裝置(OLED)具有自發(fā)光、反應快、視角廣、亮度高、色彩艷、輕薄等優(yōu)點,被認為是下一代顯示技術(shù)的發(fā)展趨勢。電致發(fā)光顯示裝置中的膜層通常采用真空蒸鍍和溶液工藝。溶液工藝包括旋涂、噴墨打印和噴嘴涂覆等。噴墨打印由于材料利用率高等優(yōu)點而在電致發(fā)光顯示裝置的制作中被廣泛采用。通過噴墨打印形成的有機功能層的厚度均勻性仍存在提高空間。
發(fā)明內(nèi)容
本公開實施例提供一種像素界定層,包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域,其中所述顯示區(qū)域包括像素單元,并且所述非顯示區(qū)域包括布置在所述顯示區(qū)域的一個或多個角的外側(cè)的虛設(dummy)像素單元。
根據(jù)示例性實施例,所述顯示區(qū)域的角呈圓角,并且所述非顯示區(qū)域中的所述虛設像素單元與所述顯示區(qū)域中的所述像素單元形成矩形圖案。
根據(jù)示例性實施例,所述多個虛設像素單元呈三角形布置。
根據(jù)示例性實施例,所述顯示區(qū)域的每個角的外側(cè)包括m*(m+1)/2個虛設像素單元,其中m為大于或等于2的自然數(shù)。
根據(jù)示例性實施例,所述顯示區(qū)域的每個角的外側(cè)包括三個虛設像素單元。
根據(jù)示例性實施例,所述顯示區(qū)域的角呈直角。
根據(jù)示例性實施例,所述多個虛設像素單元呈L形分布。
根據(jù)示例性實施例,所述顯示區(qū)域的每個角的外側(cè)包括2n+1個虛設像素單元,其中n為大于或等于2的自然數(shù)。
根據(jù)示例性實施例,所述顯示區(qū)域的每個角的外側(cè)包括五個像素單元。
根據(jù)示例性實施例,所述非顯示區(qū)域還包括布置在所述顯示區(qū)域的一條或多條邊的外側(cè)的虛設像素單元。
本公開實施例還提供一種顯示裝置,包括根據(jù)上述的顯示面板。
本公開實施例還提供一種像素界定層的制作方法,包括:在襯底基板上涂布像素界定材料;以及在所述襯底基板的顯示區(qū)域形成像素單元,并且在所述襯底基板的非顯示區(qū)域形成虛設像素單元,其中所述虛設像素單元布置在所述顯示區(qū)域的一個或多個角的外側(cè)。
本公開實施例還提供一種顯示面板的制作方法,包括:根據(jù)上述的像素界定層,以及在像素界定層內(nèi)噴墨打印有機材料以形成有機功能層。
附圖說明
為了更清楚地說明本公開實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實施例。
圖1A和圖1B為一種像素界定層的示意圖;
圖2為根據(jù)本公開一實施例的像素界定層的示意圖;
圖3為根據(jù)本公開一實施例的像素界定層的示意圖;
圖4為根據(jù)本公開一實施例的像素界定層的示意圖;
圖5為根據(jù)本公開一實施例的像素界定層的示意圖;以及
圖6為根據(jù)本公開一實施例的顯示面板的示意性剖面圖。
具體實施方式
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





