[發明專利]一種用于晶圓厚度及彎曲度檢測的運動平臺及其實現方法

在審

• 申請號: 201810284842.2
• 申請日: 2018-04-02
• 公開（公告）號: CN108362212A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 陸敏杰;姜燕燕
• 申請（專利權）人: 無錫星微科技有限公司
• 主分類號: G01B11/06
• 分類號: G01B11/06;G01B11/24
• 代理公司: 無錫華源專利商標事務所(普通合伙) 32228
• 代理人: 孫建;聶啟新

本發明公開了一種用于晶圓厚度及彎曲度檢測的運動平臺，包括基座、Y1向氣浮導軌、Y2向氣浮導軌、Y1向氣浮滑塊、Y2向氣浮滑塊、X1向氣浮橫梁導軌、X2向氣浮橫梁導軌、Y1向驅動連接件、Y2向驅動連接件、X1向氣浮滑塊、X2向氣浮滑塊、載物板、Y1向電機定子、Y1向電機動子、Y2向電機定子、Y2向電機動子、X1向電機定子1、X2向電機定子2、上光譜共焦傳感器、Z軸滑臺和下光譜聚焦傳感器；本發明還公開了一種用于晶圓厚度及彎曲度檢測的運動平臺的實現方法。本發明采用XY雙向雙驅氣浮導軌，可使載物平面跳動1個微米，以滿足行業日愈嚴格的檢測要求；本發明通過采用氣浮導軌設計，避免像傳統的機械導軌采用油脂潤滑進行密封維護。

技術領域

本發明屬于晶圓檢測設備技術領域，具體涉及一種用于晶圓厚度及彎曲度檢測的運動平臺及其實現方法。

背景技術

晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999％。

晶圓是制造半導體芯片的基本材料，半導體集成電路最主要的原料是硅，因此對應的就是硅晶圓。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式廣泛存在于巖石、砂礫中，硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。

現有用于晶圓厚度、彎曲度檢測的運動平臺主要為機械導軌平臺，受機械導軌精度和零件加工精度限制載物平面跳動只能做到幾個微米，且安裝繁瑣，由于機械導軌為油脂潤滑，還需密封和維護

發明內容

本發明的目的在于提供一種用于晶圓厚度及彎曲度檢測的運動平臺及其實現方法，以解決上述背景技術中提出的問題。本發明提供的一種用于晶圓厚度及彎曲度檢測的運動平臺，具有安裝維護簡單，不污染潔凈室的特點。

本發明另一目的在于提供一種用于晶圓厚度及彎曲度檢測的運動平臺的實現方法。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種用于晶圓厚度及彎曲度檢測的運動平臺，包括基座、Y1向氣浮導軌、Y2向氣浮導軌、Y1向氣浮滑塊、Y2向氣浮滑塊、X1向氣浮橫梁導軌、X2向氣浮橫梁導軌、Y1向驅動連接件、Y2向驅動連接件、、X1向氣浮滑塊、X2向氣浮滑塊、載物板、Y1向電機定子、Y1向電機動子、Y2向電機定子、Y2向電機動子、X1向電機定子、X2向電機定子、上光譜共焦傳感器、Z軸滑臺和下光譜聚焦傳感器；其中，所述基座的上端一側安裝有左立柱，所述基座的另一側安裝有右立柱，所述右立柱和左立柱的上端安裝有大理石橫梁，所述基座的上端正對大理石橫梁下端位置分別設置有Y1向氣浮導軌和Y2向氣浮導軌，所述Y1向氣浮導軌和Y2向氣浮導軌的內側分別安裝有Y1向氣浮滑塊和Y2向氣浮滑塊，所述Y1向氣浮滑塊和Y2向氣浮滑塊之間固定安裝有X1向氣浮橫梁導軌和X2向氣浮橫梁導軌，所述X1向氣浮橫梁導軌和X2向氣浮橫梁導軌的上端分別對應安裝有X1向氣浮滑塊和X2向氣浮滑塊，X1向氣浮橫梁導軌和X2向氣浮橫梁導軌與X1向氣浮滑塊和X2向氣浮滑塊通過載物板連接件一、載物板連接件二與載物板連接，所述X1向氣浮橫梁導軌和X2向氣浮橫梁導軌的內側分別設置有X1向電機定子和X2向電機定子，所述載物板連接件一和載物板連接件二的下端分別安裝有X1向氣浮滑塊、X1電機動子和X2向氣浮滑塊、X2電機動子，所述X1向氣浮橫梁導軌和X2向氣浮橫梁導軌的下端分別安裝有X向導軌加強筋一和X向導軌加強筋二，所述大理石橫梁的中間位置安裝有Z軸滑臺，所述Z軸滑臺與大理石橫梁之間設置有Z軸滑臺連接件，所述Z軸滑臺靠近載物板的一側安裝有上光譜共焦傳感器，所述Y1向氣浮導軌和Y2向氣浮導軌的外側分別安裝有Y1向電機定子和Y2向電機定子，所述Y1向電機定子和Y2向電機定子的上端分別安裝有Y1向電機動子和Y2向電機動子，所述Y1向電機動子和Y2向電機動子的上端分別安裝有Y1向驅動連接件和Y2向驅動連接件，所述載物板的內部凹槽與上光譜共焦傳感器對應位置設置有下光譜聚焦傳感器。