[發(fā)明專利]光掩模坯料的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810284727.5
• 申請日: 2018-04-02
• 公開（公告）號(hào): CN108693699A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 木下隆裕
• 申請（專利權(quán)）人: 信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F1/76
• 分類號(hào): G03F1/76;G03F1/72;G03F1/80
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李英艷;張永康

1.一種光掩模坯料的制造方法，所述方法先在對曝光光線具有透明性的基板上形成圖案形成膜，并在所述圖案形成膜上形成膜厚T的硬掩模膜，所述方法的特征在于：

在形成所述硬掩模膜時(shí)，利用重復(fù)2次以上的薄膜成長工序與通過清洗來去除所述薄膜上的異物的工序來形成所述膜厚T的硬掩模膜，所述薄膜具有比所述硬掩模膜的膜厚T更小的膜厚。

2.如權(quán)利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，在形成所述硬掩模膜時(shí)，將在所述薄膜成長工序中成長的所述薄膜的膜厚設(shè)為T/N，所述N是2以上的自然數(shù)，并且重復(fù)N次所述薄膜成長工序與所述通過清洗來去除所述薄膜上的異物的工序，而形成所述膜厚T的硬掩模膜。

3.如權(quán)利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，在形成所述硬掩模膜時(shí)，將在第M次的所述薄膜成長工序中成長的所述薄膜的膜厚設(shè)為T_M，所述M是自然數(shù)且滿足N≥M≥1，T＝T₁+T₂+T₃+…+T_N，并且重復(fù)N次所述薄膜成長工序與所述通過清洗來去除所述薄膜上的異物的工序，而形成所述膜厚T的硬掩模膜。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的光掩模坯料的制造方法，其中，將構(gòu)成所述硬掩模膜的各薄膜設(shè)為含有過渡金屬與硅的任一者或兩者，并且，在全部的所述薄膜中，除了輕元素以外的構(gòu)成元素都相同。

5.如權(quán)利要求4所述的光掩模坯料的制造方法，其中，所述硬掩模膜包含硅或鉻。