[發明專利]一種雙反相器結構的寬帶低噪聲放大器電路在審
| 申請號： | 201810284436.6 | 申請日： | 2018-04-02 |
| 公開（公告）號： | CN110351769A | 公開（公告）日： | 2019-10-18 |
| 發明（設計）人： | 胡善文;于澍;宋海瑞;胡云清;王子軒 | 申請（專利權）人： | 南京郵電大學;南京郵電大學南通研究院有限公司 |
| 主分類號： | H04W28/02 | 分類號： | H04W28/02;H04W40/04;H04W40/12;H04W40/24;H04W84/12;H04B17/309 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人： | 姚姣陽 |
| 地址： | 226000 江蘇省南*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 第二級放大器 第一級放大器 寬帶低噪聲放大器 輸入匹配模塊 反相器結構 電路 放大模塊 偏置模塊 輸出節點 輸出匹配 輸入節點 雙反相器 帶寬 放大器電路 寬帶低噪聲 帶寬保持 電流復用 電壓增益 放大電路 兩級放大 模塊連接 耦合電容 第一級 每一級 級聯 疊加 放大 | ||
1.一種雙反相器結構的寬帶低噪聲放大器電路，其特征在于，包括第一級放大器、第二級放大器、輸入匹配模塊、輸出匹配模塊和偏置模塊，所述第一級放大器和所述第二級放大器均為反相器結構，所述第一級放大器的輸出節點通過耦合電容C2與所述第二級放大器的輸入節點相連，所述輸入匹配模塊連接所述第一級放大器的輸入節點，所述輸出匹配模塊連接所述第二級放大器的輸出節點，所述偏置模塊設置于所述第一級放大器和所述第二級放大器之間。
2.根據權利要求1所述的一種雙反相器結構的寬帶低噪聲放大器電路，其特征在于，所述第一級放大器包括第一N型MOS管NM1、反饋電阻Rf和第一P型MOS管PM1，所述第一N型MOS管NM1的柵極與所述第一P型MOS管PM1的柵極相連，所述第一N型MOS管NM1的漏極與所述第一P型MOS管PM1的漏極相連，兩柵極之間設有所述第一級放大器的輸入節點，兩漏極之間設有所述第一級放大器的輸出節點，所述第一級放大器的輸入節點通過所述反饋電阻Rf與所述第一級放大器的輸出節點相連，所述第一N型MOS管NM1的源極接地，所述第一P型MOS管PM1的源極接電源端。
3.根據權利要求1所述的一種雙反相器結構的寬帶低噪聲放大器電路，其特征在于，所述第二級放大器包括第二N型MOS管NM2和第二P型MOS管PM2，所述第二N型MOS管NM2的柵極與所述第二P型MOS管PM2的柵極相連，所述第二N型MOS管NM2的漏極與所述第二P型MOS管PM2的漏極相連；兩柵極之間設有所述第二級放大器的輸入節點，兩漏極之間設有所述第二級放大器的輸出節點，所述第二N型MOS管NM2的源極接地，所述第二P型MOS管PM2的源極接電源端。
4.根據權利要求1所述的一種雙反相器結構的寬帶低噪聲放大器電路，其特征在于，所述偏置模塊包括第一電阻R1和第二電阻R2，所述第一電阻R1與所述第二點R2串聯，偏置點位于第一電阻R1和第二電阻R2之間，并分別與第一級放大器的輸出節點和第二級放大器的輸入節點相連。
5.根據權利要求1所述的一種雙反相器結構的寬帶低噪聲放大器電路，其特征在于，所述輸入匹配模塊包括第一電容C1和第一電感L1，所述第一電感L1的一端連接射頻輸入接口RFin，其另一端通過電容C1與第一級放大器的輸入節點相連。
6.根據權利要求1所述的一種雙反相器結構的寬帶低噪聲放大器電路，其特征在于，所述輸出匹配模塊包括第二電容C3和第二電感L2，所述第二電容C3的一端連接第二級放大器的輸出節點，其另一端通過第二電感L2與射頻輸出接口相連。
7.根據權利要求1所述的一種雙反相器結構的寬帶低噪聲放大器電路，其特征在于，所述第一電感L1和所述第二電感L2為鍵合線電感。
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