[發明專利]一種發光二極管外延片及其生長方法

有效

• 申請號: 201810283347.X
• 申請日: 2018-04-02
• 公開（公告）號: CN108717954B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 姚振;從穎;蔣曉旭;胡加輝;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/22;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管外延片，所述發光二極管外延片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的低溫緩沖層、三維生長層、二維生長層、N型半導體層、有源層和P型半導體層，其特征在于，所述三維生長層包括依次層疊的復合結構和單層結構，所述復合結構包括依次層疊的多個子層，每個所述子層為摻雜鎂的氮化鎵層，且所述多個子層中鎂的摻雜濃度沿所述復合結構的層疊方向逐層降低，所述單層結構為沒有摻雜的氮化鎵層。

2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述復合結構的厚度小于或等于所述單層結構的厚度。

3.根據權利要求2所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述多個子層的厚度相等。

4.根據權利要求1～3任一項所述的發光二極管外延片，其特征在于，相鄰兩個所述子層中鎂的摻雜濃度的差值沿所述復合結構的層疊方向逐層降低。

5.根據權利要求1～3任一項所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述多個子層中鎂的摻雜濃度的最大值小于所述P型半導體層中P型摻雜劑的摻雜濃度。

6.一種發光二極管外延片的生長方法，其特征在于，所述生長方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長低溫緩沖層、三維生長層、二維生長層、N型半導體層、有源層和P型半導體層；

其中，所述三維生長層包括依次層疊的復合結構和單層結構，所述復合結構包括依次層疊的多個子層，每個所述子層為摻雜鎂的氮化鎵層，且所述多個子層中鎂的摻雜濃度沿所述復合結構的層疊方向逐層降低，所述單層結構為沒有摻雜的氮化鎵層。

7.根據權利要求6所述的生長方法，其特征在于，所述復合結構的生長溫度低于所述單層結構的生長溫度。

8.根據權利要求6或7所述的生長方法，其特征在于，所述復合結構的生長壓力與所述單層結構的生長壓力相等。

9.根據權利要求6或7所述的生長方法，其特征在于，所述復合結構的生長速率小于所述單層結構的生長速率。

10.根據權利要求6或7所述的生長方法，其特征在于，所述復合結構的生長時間小于或等于所述單層結構的生長時間。